《薄膜電晶體物理、工藝與SPICE建模》是2016年由電子工業出版社出版的圖書，作者是雷東。
基本介紹
- 書名：薄膜電晶體物理、工藝與SPICE建模
- 作者：雷東
- ISBN：9787121293948
- 頁數：10
- 出版社：電子工業出版社
- 出版時間：2016-07
- 開本：16開
- 千 字 數：262
- 版 次：01-01
內容簡介,目錄,
內容簡介
本書以顯示面板設計和製造過程中的經驗為依據，詳細分析並闡述了TFT的器件物理、製造工藝以及SPICE建模的相關內容。全書分為6章。第1章闡述了TFT用於平板顯示的技術原理，以及針對TFT進行SPICE建模前所需要掌握的基礎知識。第2章、第3章內容主要是針對a-Si TFT進行的分析和闡述。其中，第2章分析了目前產業界常用的a-Si TFT的結構、相關的工藝過程、材料以及器件的物理性質。第3章則詳細分析了a-Si TFT的SPICE模型，並對每個模型參數的物理意義及其在TFT特性曲線上的作用進行了分析。第4章、第5章分析了LTPS TFT的器件物理、工藝及SPICE模型。第6章針對目前新型的IGZO工藝進行了闡述，主要介紹了IGZO材料及器件的物理性質，以及業界廣泛採用的IGZO TFT的結構和工藝過程。
目錄
第1章 薄膜電晶體（TFT）用於平板顯示 1
1.1 TFT用於液晶平板顯示 1
1.1.1 LCD顯示技術原理 1
1.1.2 矩陣顯示 6
1.1.3 AMLCD顯示技術對TFT特性的要求 9
1.2 TFT用於OLED平板顯示 11
1.2.1 有機發光二極體（OLED） 11
1.2.2 OLED顯示 13
1.2.3 AMOLED顯示對TFT特性的要求 15
1.3 TFT的SPICE建模與仿真 16
1.3.1 SPICE仿真與建模 16
1.3.2 TFT的SPICE建模 18
1.3.3 模型的質量驗證 24
參考文獻 25
第2章 a-Si:H TFT的結構、工藝與器件物理 26
2.1 平板顯示用a-Si:H TFT的結構與工藝 26
2.1.1 平板顯示用a-Si TFT的常見結構 26
2.1.2 柵極（Gate）金屬 27
2.1.3 a-SiNx:H薄膜 27
2.1.4 a-Si:H薄膜 30
2.1.5 n+ a-Si:H薄膜 36
2.1.6 源漏（S/D）極金屬 37
2.1.7 鈍化層 37
2.2 a-Si:H TFT器件的電學特性 38
2.2.1 柵極（Gate）正向偏置 38
2.2.2 a-Si:H TFT的漏電流 44
參考文獻 45
第3章 a-Si:H TFT的SPICE模型 47
3.1 DC模型 47
3.1.1 a-Si:H TFT開啟前 47
3.1.2 a-Si:H TFT開啟後 53
3.1.3 漏電流區 63
3.1.4 DC溫度模型 65
3.2 AC模型 66
參考文獻 68
第4章 低溫多晶矽（LTPS）TFT的結構、工藝與器件物理 70
4.1 緩衝層以及a-Si層 71
4.1.1 薄膜的沉積 71
4.1.2 去氫 72
4.2 LTPS層 74
4.2.1 準分子雷射退火（ELA） 74
4.2.2 LTPS薄膜的表面 77
4.3 LTPS薄膜的電學特性 78
4.3.1 晶界簡介 78
4.3.2 晶界勢壘 80
4.3.3 載流子的輸運 82
4.4 傳統的固相結晶技術（SPC） 84
4.5 金屬誘導結晶（MIC） 85
4.6 TFT溝道與N-TFT源/漏的形成 86
4.7 柵絕緣（GI）層 87
4.8 p型TFT源/漏與n型TFT LDD的形成 90
4.8.1 輕摻雜漏極 (Lightly Doped Drain，LDD) 90
4.8.2 注入離子的活化 91
4.9 層間介質層（Interlayer Dielectric Film，ILD） 92
4.10 信號線（Data line） 92
4.11 LTPS TFT器件的電學性質 93
4.11.1 柵極正向偏置 93
4.11.2 LTPS TFT的漏電流 98
參考文獻 99
第5章 LTPS TFT的SPICE模型 102
5.1 DC模型 102
5.1.1 TFT有效開啟電壓的表達式 102
5.1.2 亞閾值區 107
5.1.3 輸出電流 110
5.1.4 遷移率模型 112
5.1.5 漏電流模型 117
5.1.6 Kink效應 122
5.1.7 溝道長度調製效應 125
5.1.8 方程的統一 126
5.1.9 DC溫度模型 131
5.2 AC模型 132
參考文獻 135
第6章 IGZO TFT的結構、工藝與器件物理 136
6.1 IGZO工藝概述 136
6.2 平板顯示用IGZO TFT的結構 137
6.2.1 柵極（Gate）金屬 137
6.2.2 柵絕緣層（GI） 138
6.2.3 IGZO薄膜材料 139
6.2.4 刻蝕阻擋層（ESL） 149
6.2.5 S/D金屬 150
6.3 IGZO TFT的電學特性 150
6.3.1 柵極正向偏置 150
6.3.2 IGZO TFT的漏電流 152
參考文獻 152
