肖清泉

肖清泉,男,博士,貴州大學大數據與信息工程學院教授,電子科學系主任。

基本介紹

  • 中文名:肖清泉
  • 學位/學歷:博士
  • 職業:教師
  • 專業方向:光電材料與光電器件的設計與模擬、光電器件的製備、大數據分析與套用等
  • 任職院校:貴州大學大數據與信息工程學院
人物經歷,主講課程,研究方向,學術兼職,榮譽獎項,學術成果 ,

人物經歷

學習簡歷:
2015.09-2016.09 英國格林威治大學計算力學與可靠性研究中心,訪問學者;
2007.09-2011.12 貴州大學微電子學與固體電子學專業,博士;
2004.09-2007.06 貴州大學微電子學與固體電子學專業,碩士;
1990.09-1993.06 邵陽師範專科學校(今邵陽學院)物理學教育,大學專科;
工作簡歷:
2007.09-至今 貴州大學電子科學與技術系,講師、副教授、教授;
1993.07-2004.08 湖南省新邵縣教育局,高中物理教學,中級;。

主講課程

擔任《模擬電子技術基礎》、《感測器原理與套用》、《機率論與數理統計》、《高等數學》、《熱力學與統計物理》、《半導體材料》等課程的教學。

研究方向

光電材料與光電器件的設計與模擬、光電器件的製備、大數據分析與套用等

學術兼職

塞爾維亞國家科學基金評審專家、全國仿真創新套用大賽組委會專家委員會委員、全國仿真創新套用大賽貴州省組委會顧問、貴州省大數據專家庫評審專家、貴州省高新技術認定企業評審專家、中國電子學會高級會員、IEEE會員、英國格林威治大學訪問學者、民進貴州大學委員會副主委兼秘書長、貴州大學電子信息專業學位學科類學位評定委員會委員。

榮譽獎項

[1]第四屆貴州省自然科學優秀學術論文三等獎(排名第一,2012.12)
[2]貴州省科技進步三等獎(排名第三,2012.12);
[3]貴州省首屆研究生教學成果獎二等獎(排名第四,2015.09)

學術成果

科研項目:
[1] 貴州大學智慧型製造產教融合創新平台及研究生聯合培養基地建設項目,2020-520000-83-01-324061,國家發改委項目,2021.1-2023.1,10000萬,第二主持。
[2] 與貴州振華天通設備有限公司合作項目,基於位置數據的呈現與行為分析算法研究,HT-20200701-001,2020/12-2023/06,5萬,橫向項目,主持
[3]貴州省留學回國人員科技活動擇優資助項目,黔人項目資助契約(2018)09號,基於Mg2Si薄膜的紅外感測器的結構設計與計算機模擬,2018/01-2019/12,5萬,主持;
[4]絕緣襯底上單一相Mg2Si半導體薄膜的摻雜及其光電性質研究,貴州省自然科學基金項目,契約號:黔科合J字[2014]2052號, 2014.8-2017.8,6萬,主持;
[5]Mg2Si半導體薄膜生長過程的計算機模擬與實驗研究,貴州省國際科技合作計畫項目,契約號:黔科合外G字[2013]7003, 2013.7- 2016.6,10萬,主持;
[6]基於Mg2Si的LED光電子器件研究, 貴陽市工業振興科技計畫項目,契約號:築科契約[2012101]2-16,2012.1-2015.12, 8萬,主持;
[7]環境半導體材料Mg2Si的磁控濺射製備及其性質研究,貴州省自然科學基金項目,契約號:黔科合J字[2009]2059號,2009.6-2012.5,4萬,主持;
發表的部分論文:
[1] Jiangxiang Wang, Baohui Zhang,Jingting Luo, Chen Fu, Ran Tao, Lei Yang, Honglang Li, Qingquan Xiao,Quan Xie. High performance CQD photodetector via mixed halogen precursorpassivation engineering[J]. Optik, 2022, 266: 169597. (SCI 3區、EI) 通訊作者
[2] Lyu Lin, Xie Quan, Yang Yinye,Wang Rongrong, Cen Weifu, Luo Shengyun, Yang Wensheng, Gao Yue, XiaoQingquan, Zou Ping, Yang Yang. A novel CeO2 Hollow-Shell sensorconstructed for high sensitivity of acetone gas detection[J]. Applied SurfaceScience, 2022,571: 151337 (SCI 2區、EI)
[3] Anna He, Qingquan Xiao,Mingzhe Qin, et al.. Study on the Electronic Structureand Optical Properties of Nd‑Incorporated Mg2Siby First Principles[J]. Journal Of Electronic Materials, 2021,50:4083–4089 (SCI 4區、EI)通訊作者
[4] Shi Jiaona, Kang Qi, Mi Yan, XiaoQingquan. Nitrogen-doped Hollow Porous Carbon Nanotubes for High-SulfurLoading Li-S Batteries[J]. Electrochimica Acta, 2019,324: 134849 (SCI 2區、EI)通訊作者
[5] Wang Kun, Xiao Qingquan,Xie Quan, et al. First-Principles Study of Electronic Structure andOptical Properties of La-Doped AlN[J]. Journal of Electronic Materials,2019,48(8): 5135-5142 (SCI 4區、EI)通訊作者
[6] Xiao Qinquan, Fang Di, Liu Xiaojun, et al. Heat treatment temperatureeffects on the formation of Mg2Si films deposited by electron beamevaporation[J]. Journal of Materials Science-Materials in Electronics,2017,28(1): 702-706 (SCI 3區)
[7] Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, etal. Solid-state synthesis of single phase Mg2Si films on Sisubstrates deposited at various sputtering powers[J]. physica status solidi(c), 2013,10(12): 1854-1856 (EI)
[8] Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thicknessand annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon(111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science,2011,257(17): 7800-7804 (SCI 2區、EI)
[9] Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on theformation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputteringdeposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002 (EI)
[10] Liao Yang-Fang, Xie Quan, XiaoQing-Quan, et al.Photoluminescence of Mg2Si films fabricated by magnetronsputtering[J]. Applied Surface Science, 2017,403: 302-307 (SCI 2區、EI)
[11] 王傲霜, 肖清泉, 陳豪, 等. Mg2Si/Si雪崩光電二極體的設計與模擬[J]. 物理學報, 2021,70(10): 108501(ninepages) (SCI 3區、EI)通訊作者
[12] 高珊, 肖清泉, 何安娜. 基於深度學習的司法判罰研究[J]. 電子設計工程, 2022,30(17): 23-27 通訊作者
[13] 葉建峰, 秦銘哲, 肖清泉, 等. Ti、V、Co、Ni摻雜二維CrSi2材料的電學、磁學及光學性質的第一性原理研究[J]. 物理學報, 2021,22(70): 227301 (SCI 3區、EI)通訊作者
[14] 王傲霜, 肖清泉, 陳豪, 等. GaN/Si單異質結太陽電池的模擬[J]. 光學學報, 2020,40(24): 2416001 (EI) 通訊作者
[15] 陳豪, 肖清泉, 謝泉, 等. 近紅外Mg2Si/Si異質結光電二極體的結構設計與仿真[J]. 材料導報, 2019,33(10): 3358-3362 (EI) 通訊作者
[16] 袁正兵, 肖清泉, 楊文獻, 等. In0.53Ga0.47As/InP雪崩光電二極體回響及電學特性[J]. 光子學報, 2018,47(3): 304002 (EI)通訊作者
[17] 肖清泉, 房迪, 趙珂傑, 等. 電子束蒸發方法研究Mg2Si的薄膜及其光學帶隙[J]. 紅外與毫米波學報, 2017,36(2): 265-270 (SCI 4區、EI)
[18] 房迪, 肖清泉, 廖楊芳, 等. 鈉鈣玻璃上Mg2Si薄膜的製備及其電學性質[J]. 材料導報, 2017,31(2): 9-13 (EI) 通訊作者
[19] 肖清泉, 謝泉, 沈向前, 等. Si襯底上低真空熱處理製備單一相Mg2Si半導體薄膜[J]. 功能材料, 2013,44(4): 585-589 (EI)
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