缺陷態計算方程

基於瞬態光電壓測量結果，用該方程可以計算缺陷態的態密度分布。該方程由林則東於2020年4月13日提出。

基本介紹

• 中文名：缺陷態計算方程
• 外文名：Equation for calculation of trap states
• 別名：林氏方程
• 提出者：林則東
• 提出時間：2020年4月13日
• 適用領域：缺陷態計算

實際製備的太陽能電池，傳輸層和吸收層晶體存在原子空缺的現象，從而導致能帶結構缺陷態的產生。太陽能電池的缺陷態無法被直接測量。

2020年4月13日，林則東在nature子刊<<scientific reports>>期刊上發表《Extraction technique of trap states based on transient photo-voltage measurement》一文，提出了缺陷態的計算方程(Lin Equation)。

式中，為缺陷態態密度分布。為機率導數因子。為由瞬態光電壓實驗測量得到的電子壽命與光電壓的關係。為自由電子壽命。為導帶上的電子濃度。

基於瞬態光電壓測量結果，就能夠用該方程計算出太陽能電池的缺陷態態密度分布。