《二維半導體物理》主要介紹二維半導體物理的國際研究近況和本書作者最近的研究 成果，著重在物理方面，內容包括二維半導體的結構、電子態、第一性原 理計算方法、緊束縛方法、聲子譜、光學性質、輸運性質、缺陷態、磁性 二維半導體、催化作用等。每一章開始先簡單介紹三維半導體的有關性質 和理論，讀者可以比較三維和二維的差別和相同之處。
基本介紹
- 中文名：二維半導體物理
- 出版社：科學出版社
- ISBN：9787030732460
- 叢書名：21世紀理論物理及其交叉學科前沿叢書
目錄
前言
第1章 晶體結構和能帶 1
1.1 氮化硼 1
1.2 黑磷 2
1.3 砷烯和銻烯 3
1.4 MX2（M=Mo,W;X=S,Se） 5
1.5 VX2（X=S,Se和Te） 6
1.6 SnX2（X=S,Se） 8
1.7 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se） 9
1.8 ReX2（X=S,Se） 11
1.9 MX（M=B,Al,Ga,In;X=O,S,Se,Te） 13
參考文獻 16
第2章 第一性原理計算方法 17
2.1 量子力學理論基礎簡介 17
2.1.1 多粒子體系薛丁格方程 17
2.1.2 Born-Oppenheimer 近似 18
2.1.3 Hartree-Fock近似 18
2.2 密度泛函理論簡介 20
2.3 多體格林函式理論 22
2.3.1 單粒子格林函式 22
2.3.2 Dyson方程 23
2.3.3 Hedin方程 24
2.3.4 GW近似 24
2.3.5 Bethe-Salpeter方程 25
參考文獻 26
第3章 二維半導體結構與聲子譜 28
3.1 晶體振動的一般理論 28
3.2 二維半導體的聲子色散關係 30
3.3 力學性質 33
參考文獻 34
第4章 二維半導體的光學性質 35
4.1 半導體的帶間躍遷 35
4.2 激子效應 38
4.3 MX（M=Sn,Ge;X=S,Se）的光學性質 41
4.4 黑磷多層的光學性質 44
4.5 SnS2和SnSe2二維材料的激子效應 46
4.6 黑磷的激子效應 48
4.7 單層MoS2的發光 49
4.8 α-tellurene的激子態和振盪強度 53
4.9 二維半導體SnSSe激子效應的理論計算 56
4.10 二維半導體MM′XX′（M,M′=Ga,In;X,X′=S,Se,Te） 激子效應的理論計算 59
參考文獻 60
