《納米半導體器件與技術》是2013年國防工業出版社出版的圖書，作者是印紐斯基。
基本介紹
- 書名：納米半導體器件與技術
- 作者：印紐斯基
- 出版社：國防工業出版社
- ISBN：9787118090789
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
《納米半導體器件與技術》（作者印紐斯基）這《高新科技譯叢:納米半導體器件與技術》由來自工業界和學術界的國際專家參與撰寫，是一本對未來納米製造技術有濃厚興趣的人必讀的書。
《納米半導體器件與技術》介紹了半導體工藝從標準的CMOS矽工藝到新型器件結構的演變，包括碳納米管、石墨烯、量子點、III-V族材料。《高新科技譯叢:納米半導體器件與技術》涉及納米電子器件的研究現狀，提供了包羅萬象的關於材料和器件結構的資源．包括從微電子到納電子的革命。
《高新科技譯叢:納米半導體器件與技術》分三個部分：
半導體材料（例如，碳納米管，憶阻器及自旋有機器件）；
矽器件與技術（如BICMOS，SOI，各種三維集成和RAM技術．以及太陽能電池）；
複合半導體器件與技術。
《高新科技譯叢:納米半導體器件與技術》探索了能夠在微電子系統性能上超過傳統CMOS的新興材料。討論的主題涉及碳納米管的電子輸運GANHEMTS技術及套用。針對萬億美元納米技術產業的真實市場需求和技術壁壘，《高新科技譯叢:納米半導體器件與技術》提供了新型元器件結構的重要信息．而這將使其向未來的發展邁出一大步。
圖書目錄
第一部分 半導體材料
第1章 碳納米管中的電子運動：從電子動力學到電路模型
1.1 引言
1.2 碳納米管的電子動力學
1.2.1 概述
1.2.2 碳納米管的能帶結構
1.2.3 碳納米管的構造
1.2.4 單壁和多壁碳納米管中有效的溝道數量
1.3 電磁學中的套用：碳納米管作為一種新型的散射材料
1.3.1 概述
1.3.2 碳納米管散射的電磁學模型
1.4 電路中的套用：碳納米管作為一種新型的互連材料
1.4.1 納米級互連中的碳納米管
1.4.2 碳納米管互連的TL模型
1.4.3 束狀碳納米管作為新型的晶片封裝的互連材料
1.5 結論
參考文獻
第2章 碳納米管與cMos的單片集成
第3章 便捷的、可擴展的外圍電化學方法製備二氧化鈦憶阻器
第4章 有機半導體中的自旋傳輸：最初八年的簡要概述
第二部分 矽器件和技術
第5章 siGcBicMoS技術與器件
第6章 新型的高性能低功耗器件範例：極限FDSOI多柵MOSFET和多勢壘促進柵極共振隧穿FET
第7章 三維晶片集成技術的發展
第8章 嵌入式STT-MRAM
第9章 非易揮發性存儲器件：阻變存儲器
第10章 DRAM技術
第11章 單晶矽太陽能電池的最佳化和模型
第12章 矽器件的輻射效應
第三部分 複合半導體器件與技術
第13章 使用直接生長技術的GaN／InGaN雙異質結雙極電晶體
第14章 氮化鎵高電子遷移率電晶體技術與套用
第15章 基於CaN的金屬-氧化物-半導體高電子遷移率電晶體的表面處理、工藝和性能
第16章 下一代高功率／高溫器件——大尺度矽襯底氮化鎵基HEMT器件
第17章 套用於手機終端的砷化鎵異質結雙極型電晶體及功率放大器設計
第18章 Ⅲ族氯化物的負微分電阻和共振隧穿
第19章 三氮化物半導體子能帶光電學的新發展
