紅外焦平面陣列新結構高性能CMOS讀出電路研究

《紅外焦平面陣列新結構高性能CMOS讀出電路研究》是依託重慶大學,由袁祥輝擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:紅外焦平面陣列新結構高性能CMOS讀出電路研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:袁祥輝
  • 依託單位:重慶大學
  • 批准號:60077025
  • 研究期限:2001-01-01 至 2003-12-31
  • 申請代碼:F0504
  • 支持經費:18(萬元)
  • 負責人職稱:教授
中文摘要
將新型恆偏壓隔離注入、自適應電流增益控制放大、高均勻性背景電流抑制積分、相關雙採樣、低功耗動態輸出等技術融合,構成新結構的CMOS讀出電路,可克服現有各種讀出電路存在的缺點,使紅外焦平面陣列性能全面大幅度提高。該技術可加快我國紅外焦平面陣列的研製進程,縮短與國際先進水平的差距,在軍事和民用市場都有重要而廣闊的套用前景。

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