《非致冷複合熱釋電薄膜紅外焦平面陣列研究》是依託西安交通大學，由吳小清擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：非致冷複合熱釋電薄膜紅外焦平面陣列研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：吳小清
- 依託單位：西安交通大學
- 批准號：60377035
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 申請代碼：F0504
- 支持經費：24（萬元）
- 負責人職稱：教授
中文摘要
提高複合熱釋電薄膜紅外探測器陣列的性能和實現其與微電路的集成是推動非致冷複合熱釋電薄膜紅外焦平面陣列向實用化發展的關鍵。本項目針對影響複合熱釋電薄膜紅外探測器陣列性能的幾個因素，主要研究（1）絕熱膜的厚度、孔率和孔徑與探測器探測率的關係；（2）紅外吸收層吸收率和光刻附著力對探測器探測率和成品率的影響；（3）鐵電薄膜的多次熱處理過程對微電路的影響等問題。在研究提高溶膠-凝膠法製備複合熱釋電薄膜紅外探測器陣列性能的同時，探索這類探測器陣列製備工藝與CMOS讀出電路直接集成的工藝兼容性、設計適合集成的器件結構，掌握單片集成的關鍵技術，為開發具有自主智慧財產權的非致冷熱釋電薄膜紅外焦平面陣列提供技術基礎，以推動在紅外成像方面的套用。
