粒徑跟蹤分析系統

粒徑跟蹤分析系統

粒徑跟蹤分析系統是一種用於化學領域的物理性能測試儀器,於2016年12月23日啟用。

基本介紹

  • 中文名:粒徑跟蹤分析系統
  • 產地:美國
  • 學科領域:化學
  • 啟用日期:2016年12月23日
  • 所屬類別:物理性能測試儀器 > 顆粒度測量儀器 > 粒度分布測量儀
技術指標,主要功能,

技術指標

1.1 納微米粒度 1雷射器(35mW640nm,200mw532nm固體雷射器) 2粒度測量範圍:0.3nm-10000nm 3典型精度:1% 4重複性:0.4% 5標準樣品池體積:1-3ml 6微量樣品池:10uL或50uL 7樣品濃度:0.1ppm-40%體積濃度 8溫度控制:-5-110℃, ±0.1℃ 9散射角:三角度測量,15°、90°與173°精確測量不同粒度、分布的樣品 10相關器: 4通道輸入;支持兩路互相關,1011線性通道;動態可變採樣時間、延遲時間、通道分配等技術; 1.2、微流變部分:微流變測試功能:動態光散射為基礎的光學微流變技術,採用示蹤探測顆粒測量材料中壓應力與變形之間的關係。

主要功能

廣泛套用於微乳液、 高分子、碳材料等顆粒表征和表面電荷電位測量。納米顆粒跟蹤分析技術,通過動態光散色採集納米顆粒的布朗運動速度,結合斯托克斯-愛因斯坦方程得到顆粒的流體力學尺寸的信息。該儀器和動態光散色技術的完美結合,通過顆粒的數量分布,數量平均粒徑,光強分布和平均粒徑,分析複雜體系中的高解析度粒徑跟蹤檢測功能。

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