積體電路關鍵工藝虛擬仿真實驗是湖北大學建設的虛擬仿真實驗課程。
基本介紹
- 中文名:積體電路關鍵工藝虛擬仿真實驗
- 課程負責人:胡永明
- 建設院校:湖北大學
- 授課教師:萬美琳、彭曠、宋敏、黃浩
積體電路關鍵工藝虛擬仿真實驗是湖北大學建設的虛擬仿真實驗課程。
積體電路關鍵工藝虛擬仿真實驗是湖北大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質課程背景積體電路製造技術是一項集當今世界最先進科技成果於一體的綜合性交叉式邊緣學科,而在微電子工藝方面高校普遍缺乏有效的實踐教學手段,對微電子相關專業...
積體電路製造關鍵工藝虛擬仿真實驗項目是重慶郵電大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程簡介 “中國芯”在騰飛!緊跟國家將微電子作為基礎性、關鍵性、戰略性產業趨勢,針對真實實驗弊端,開發產業鏈中關鍵的“矽片清洗工藝-→矽熱氧化工藝+濕法刻蝕工藝擴散工藝”虛擬仿真實驗項目,項目特色鮮明。◆ 緊跟前沿,以生為本,理念...
基於生產環境的積體電路光刻工藝互動式虛擬仿真實驗是華中科技大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 積體電路在國民經濟各行各業中發揮著非常重要的作用,是現代信息社會的基石。以半導體行業某先進企業實際生產環節和光刻設備為藍本,按照8英寸實際生產線環境的要求,以反相器器件製造過程為案例,對生產環境、生...
矽積體電路製造中光刻和磁控濺射工藝虛擬仿真實驗是河北科技大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 積體電路產業是信息產業的核心,是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量。從全世界看,以積體電路為核心的信息產業已經成為全球排名第一的產業,超過了以汽車、石油、鋼鐵和電力為代表的傳統產業,是拉動國民...
基於VR的積體電路設計、製造與測試虛擬仿真實驗是北京郵電大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 隨著近年來微電子產業領域的迅猛發展,“無生產線積體電路設計”已成為當前世界積體電路產業發展的主流趨勢。這種模式不但使眾多的積體電路設計公司擺脫了成本高昂的晶片製造壓力,專注於開發性能更優、功能更強、更加...
CMOS反相器製備工藝虛擬仿真實驗是西安工程大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 CMOS反相器是積體電路最基礎的邏輯單元電路,是各種電路的縮影, 是邏輯電路分析、設計的基礎。因此課堂對CMOS反相器進行分析、設計、製備具有廣泛的代表意義。 本實驗教學項目搭建了一個虛擬的晶片製造廠,對CMOS反相器進行製備,...
光刻工藝虛擬仿真實驗是北京信息科技大學建設的虛擬仿真實驗課程。課程性質 課程背景 隨著人類的製造水平逐步由巨觀尺度向微觀尺度邁進,微納加工與測試技術發展迅速。光刻加工工藝是積體電路、MEMS器件以及其他微系統加工中最關鍵的工藝。光刻技術的發展,直接關係到我國積體電路、高端感測器、物聯網等高科技領域的發展。在...
《三維連續集成積體電路關鍵工藝技術和機理研究》是依託復旦大學,由吳東平擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 由於遲早會碰到物理規則或製造成本的限制,積體電路可能在7-8納米技術代或最小到5納米技術代時將會停止前進。三維連續集成技術由於能在單片上進行兩層及以上高密度、高溝道遷移率的器件集成,因此有望在單個...
《極大規模積體電路碳納米管互連基礎及關鍵工藝研究》是依託天津理工大學,由張楷亮擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 ITRS預測碳納米管(CNT)將在32nm技術器件中替代銅布線,解決銅布線尺寸微細化後無法承載的電流密度、電遷移等問題。目前CNT互連與CMOS工藝的集成技術及工藝兼容性已經成為該領域關注的焦點。本...
本書翻譯整理過程得到了清華大學深圳研究生院SOC驗證與硬體仿真實驗室的支持,在此一併表示感謝。 最後,由於譯者水平有限,而且該領域相當多的專業辭彙並沒有統一的中文譯法,書中難免會有不妥當的地方,望讀者批評指正。 張盛 清華大學深圳研究生院 數字積體電路設計:從VLSI體系結構到CMOS製造目錄 編輯 播報 第1章 ...
思想政治學科教學論、中國古代史、遺傳學、計算機網路、大學英語基礎(一)、大學生心理健康教育、新聞學概論、思想道德修養和法律基礎、創業基礎、電路分析基礎、現代教育技術、通信原理、辭彙學、口述資料的收集和整理、傳統民間文化田野調查、器樂合奏(民樂合奏)、信號與系統虛擬仿真實驗、積體電路製造工藝虛擬仿真實驗 [...
韓雁,教授、博士生導師,浙江大學信息學院微電子所副所長,浙江大學—美國UCF大學ESD聯合實驗室常務副主任。長期以來從事微電子學領域的教學和研究工作,主要從事積體電路的設計與製造理論研究,在數字積體電路、模擬積體電路以及數模混合積體電路的設計方面,特別是在高壓大功率積體電路設計與製造方面,經驗豐富;在積體電路...
深入研究了TFET器件的物理機制和工作原理,在此基礎上,通過級數展開等方法求解靜電勢,獲得電場的準確表達式,建立了較為完善的三維TFET電學特性模型,同時對具有高遷移率溝道(包括應變鍺矽、純鍺、鍺錫合金等)的TFET器件的器件結構、關鍵工藝模組開發等技術進行了大量的實驗研究。