積體電路用矽,用於積體電路製造的矽拋光片與外廷片。
基本介紹
- 中文名:積體電路用矽
- 定義:用於積體電路製造的矽拋光片與外廷片
積體電路用矽,用於積體電路製造的矽拋光片與外廷片。
積體電路用矽,用於積體電路製造的矽拋光片與外廷片。隨著IL的集成度提高,對矽材料的內在質量與幾何尺寸要求愈來愈高,包括雜質含量、缺陷密度、友 0.i清潔度、兒何精度、矽片直徑等。根據電路種類,對矽材華本要求如下表:對超大...
在製造大多數半導體器件時,用的矽材料不是矽多晶,而是高完整性的矽單晶。通常用直拉法或區熔法由矽多晶製得矽單晶。世界上直拉矽單晶和區熔矽單晶的用量約為9:1,直拉矽主要用於積體電路和電晶體,其中用於積體電路的直拉矽單晶由於其有明確的規格,且其技術要求嚴格,成為單獨一類稱積體電路用矽單晶。區熔...
SOI全稱為Silicon-On-Insulator,即絕緣襯底上的矽,該技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。簡介 材料通過在絕緣體上形成半導體薄膜,SOI材料具有了體矽所無法比擬的優點:可以實現積體電路中元器件的介質隔離,徹底消除了體矽CMOS電路中的寄生閂鎖效應;採用這種材料製成的積體電路還具有寄生電容小、集成...
晶體矽:一個直徑75mm的矽片,可集成幾萬至幾十萬甚至幾百萬個元件,形成了微電子學,從而出現了微型計算機、微處理機等。由於當前信息工程的發展,矽主要用於微電子技術。以矽晶閘管為主的電力半導體器件,元件越做越大,與矽電晶體相比積體電路正相反,在直徑為75mm的矽片上,只做一個能承受幾kA電流和幾kV電壓...
積體電路發明者為傑克·基爾比(基於鍺(Ge)的積體電路)和羅伯特·諾伊斯(基於矽(Si)的積體電路)。當今半導體工業大多數套用的是基於矽的積體電路。綜述 積體電路,英文為Integrated Circuit,縮寫為IC;顧名思義,就是把一定數量的常用電子元件,如電阻、電容、電晶體等,以及這些元件之間的連線,通過半導體工藝...
矽外延材料 矽外延材料是在高溫下通過氣相化學反應,在拋光的矽單晶片上生長一層或多層矽單晶薄膜,通過控制生長條件,可以獲得不同電阻率,不同厚度及不同型號的外延層,主要用於製造各種矽積體電路和分立器件中重要的基礎材料,大直徑的矽積體電路晶片生產線均選用矽外延作為起始材料。
主要包括矽粉、矽棒、矽片、籽晶、單晶矽、多晶矽、半導體電晶體、單晶矽棒、單晶矽片、單晶矽切磨片、單晶矽拋光片、單晶矽外延片、單晶矽太陽能電池板、單晶矽晶片、砷化鎵、單晶鍺、太陽能電池圓片、方片、二級管、三級管、矽堆、複合半導體器件、微波射頻器件、可控矽器件、高頻管、低頻管、功率管、MOS管、積體電路...
矽整流器與矽閘流管的問世促使矽材料的生產一躍而居半導體材料的首位。60年代矽外延生長單晶技術和矽平面工藝的出現,不但使矽電晶體製造技術趨於成熟,而且促使積體電路迅速發展。80年代初全世界多晶矽產量已達2500噸。矽還是有前途的太陽電池材料之一。用多晶矽製造太陽電池的技術已經成熟;無定形非晶矽膜的研究進展...
積體電路工藝(integrated circuit technique )是把電路所需要的電晶體、二極體、電阻器和電容器等元件用一定工藝方式製作在一小塊矽片、玻璃或陶瓷襯底上,再用適當的工藝進行互連,然後封裝在一個管殼內,使整個電路的體積大大縮小,引出線和焊接點的數目也大為減少。集成的構想出現在50年代末和60年代初,是採用矽...
該標準適用於對晶體原生凹坑敏感的積體電路用直徑為200毫米和300毫米、晶向、電阻率0.1Ω·厘米~100Ω·厘米的Low-COP拋光片。引用檔案 參考資料:意義價值 國家標準《積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片》(GB/T 41325-2022)的發布實施有利於界定和規範Low COP產品的檢測指標,促進Low COP產品的研究與開發...
《矽基功率積體電路設計技術》是2020年科學出版社出版的圖書,作者是孫偉鋒。內容簡介 《矽基功率積體電路設計技術》重點講述矽基功率積體電路及相關集成器件的設計技術理論和套用。第1章綜述功率積體電路基本概念、特點及發展;第2~3章介紹功率積體電路核心的兩種集成器件(LDMOS和SOI-LIGBT)的結構、原理及可靠性;...
矽guī ⒈ 一種非金屬元素,是一種半導體材料,可用於製作半導體器件和積體電路。舊稱“矽”。基本詞義 ◎ 矽 guī 〈名〉一種四價的非金屬元素,以化合物的形式,作為僅次於氧的最豐富的元素存在於地殼中,通常是在電爐中由碳還原二氧化矽而製得的,主要以合金的形式使用(如矽鐵合金),也與陶瓷材料一起用於金屬...
21世紀的矽積體電路技術 《SOI技術: 21世紀的矽積體電路技術》是1993年科學出版社出版的圖書,作者是考林基。出版信息 書名原文:Silcon-on-insulator technology 內容提要 本書包括:SOI材料、SOI材料的表征技術、SOI MOSFET、SOI電路等8章。題名 Silcon-on-insulator technology 主題 絕緣襯底上外延矽MOS積體電路 ...
ULSI電路集成度的迅速增長主要取決於以下兩個因素:一是晶體生長技術已達到極高的水平;二是製造設備不斷完善,加工精度、自動化程度和可靠性的提高已使器件尺寸進入深亞微米級領域。矽單晶製備技術可使晶體徑向參數均勻,體內微缺陷減少,0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少於0.05個/平方厘米。對電路加工過程中誘生的...
作為積體電路核心的電子元器件,95%以上是用半導體矽製成的,半導體是當代信息工業的支柱。“信息高速公路”中大量套用的光纖電纜中的光纖,也是以金屬矽為原料生產的。美國和歐盟化學用矽的消費量已占金屬矽總消費量的一半以上。化學用矽作為高新技術領域和重要基礎產業得到廣泛套用,其消費量是趨於穩定增長的。在國際...
藍寶石上外延矽工藝是在藍寶石片上外延生長一層矽薄膜以製作半導體積體電路的技術,簡稱 SOS。詳細介紹 在藍寶石片上外延生長一層矽薄膜以製作半導體積體電路的技術,簡稱 SOS。這種結構能提供理想的隔離,並減小PN結底部的寄生電容,故適合於製作高速大規模積體電路,實現高速和低功耗。一般多採用這種工藝製作CMOS電路(...
2.2.1半導體材料矽的晶體結構44 2.2.2半導體材料矽的電學性質48 2.2.3半導體材料矽的光學性質53 2.2.4半導體材料矽的熱學性質53 2.2.5半導體材料矽的機械性質54 2.2.6半導體材料矽的化學性質55 2.2.7半導體材料的P-N結特性56 第二篇積體電路產業用矽片 第3章矽片的製備64 3.1對積體電路用矽片的...
《矽基射頻積體電路和系統》是2020年科學出版社出版的圖書,作者是廖懷林。內容簡介 《矽基射頻積體電路和系統》以矽基射頻集成晶片系統為核心,介紹射頻電路和系統基礎、射頻積體電路基本理論和設計方法,以及國內外矽基射頻積體電路和系統技術的新進展。《矽基射頻積體電路和系統》分為射頻電路和系統設計基礎知識、射頻...
單晶矽可算的是世界上最純淨的物質了,一般的半導體器件要求矽的純度在6個9(6N)以上。大規模積體電路的要求更高,矽的純度必須達到9個9(9N)。目前,人們已經製造出純度為12個9(12N)的單晶矽。主要用途 單晶矽主要套用於太陽能電池。套用最早的是矽太陽能電池,其轉換效率高,技術最為成熟,多用於光照時間少,...
我國每年都從石英石中提取大量的工業矽,以1美元/公斤的價格出口到德國、美國和日本等國,而這些國家把工業矽加工成高純度的晶體矽材料,以46-80美元/公斤的價格賣給我國的太陽能企業。得到高純度的多晶矽後,還要在單晶爐中熔煉成單晶矽,以後切片後供積體電路製造等用。可以用於二極體級、整流器件級、電路級以及太陽...
科學技術的發展不斷推動著半導體的發展。自動化和計算機等技術發展,使矽片(積體電路)這種高技術產品的造價已降到十分低廉的程度。一台微型電子計算機的售價,也只不過數百元人民幣。這樣就為電子計算機進入千家萬戶鋪平了道路。使我們的生活越來越現代化。當然,晶片給家庭帶來的變化還遠不止於此,隨著電子化家庭的...
計算機晶片是一種用矽材料製成的薄片,其大小僅有手指甲的一半。一個晶片是由幾百個微電路連線在一起的,體積很小,在晶片上布滿了產生脈衝電流的微電路。產品簡介 晶片,準確地說就是矽片,也叫積體電路。它是微電子技術的主要產品。所謂微電子是相對"強電"、"弱電"等概念而言,指它處理的電子信號極其微小,它...
地殼成分中27.8%是矽元素構成的,僅次於氧元素含量排行第二,矽是自然界中比較富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發現矽元素。矽晶片又稱晶圓片,是由矽錠加工而成的,通過專門的工藝可以在矽晶片上刻蝕出數以百萬計的電晶體,被廣泛套用於積體電路的製造。晶圓片 矽屬於半導體材料,其自身的導電...
2007年5月24日,國家“863”計畫超大規模積體電路(IC)配套材料重大專項總體組在北京組織專家對西安理工大學和北京有色金屬研究總院承擔的“TDR-150型單晶爐(12英寸MCZ綜合系統)”完成了驗收。這標誌著擁有自主智慧財產權的大尺寸積體電路與太陽能用矽單晶生長設備,在我國首次研製成功。這項產品使中國能夠開發具有自主...
隨著積體電路(Integrated circuit,IC)製造技術的不斷發展,晶片特徵尺寸越來越小,互連層數越來越多,晶圓直徑也不斷增大。要實現多層布線,晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔淨度,而化學機械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術,它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD/CVD一起被稱...