積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片

制定過程

編制進程

2019年7月12日，國家標準計畫《積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片》（20192102-T-469）下達，項目周期18個月，由全國半導體設備和材料標準化技術委員會歸口及上報及執行，主管部門為中華人民共和國國家標準化管理委員會。

2022年3月9日，國家標準《積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片》（GB/T 41325-2022）由中華人民共和國國家市場監督管理總局、中華人民共和國國家標準化管理委員會發布。

2022年10月1日，國家標準《積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片》（GB/T 41325-2022）實施。

制訂依據

國家標準《積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片》（GB/T 41325-2022）由按照《標準化工作導則—第1部分：標準化檔案的結構和起草規則》（GB/T 1.1-2020）的規定起草。

起草工作

主要起草單位：有研半導體矽材料股份公司、山東有研半導體材料有限公司、杭州中欣晶圓半導體股份有限公司、南京國盛電子有限公司、有色金屬技術經濟研究院有限責任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中環領先半導體材料有限公司、浙江海納半導體有限公司。

主要起草人：孫燕、寧永鐸、鐘耕杭、李洋、徐新華、駱紅、楊素心、李素青、張海英、由佰玲、潘金平。

標準目次

前言	Ⅰ
1範圍	1
2規範性引用檔案	1
3術語與定義	2
4技術要求	2
5試驗方法	4
6檢驗規則	5
7包裝、標誌、運輸、貯存和隨行檔案	6
8訂貨單內容	7

參考資料：

內容範圍

國家標準《積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片》（GB/T 41325-2022）規定了低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片的技術要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標誌、運輸、貯存、隨行檔案及訂貨單內容。該標準適用於對晶體原生凹坑敏感的積體電路用直徑為200毫米和300毫米、晶向<100>、電阻率0.1Ω·厘米~100Ω·厘米的Low-COP拋光片。

引用檔案

規範性引用檔案

GB/T 1550 非本徵半導體材料導電類型測試方法	GB/T 2828.1 計數抽樣檢驗程式—第1部分：按接收質量限（AQL）檢索的逐批檢驗抽樣計畫
GB/T 4058 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法	GB/T 6616 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法—非接觸渦流法
GB/T 6624 矽拋光片表面質量目測檢驗方法	GB/T 12962 矽單晶
GB/T 12965 矽單晶切割片和研磨片	GB/T 14264 半導體材料術語
GB/T 19921 矽拋光片表面顆粒測試方法	GB/T 29504 300mm矽單晶
GB/T 29505 矽片平坦表面的表面粗糙度測量方法	GB/T 29507 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試—自動非接觸掃描法
GB/T 29508 300mm矽單晶切割片和磨削片	GB/T 32280 矽片翹曲度和彎曲度的測試—自動非接觸掃描法
GB/T 39145 矽片表面金屬元素含量的測定—電感耦合電漿質譜法	YS/T 28 矽片包裝
YS/T 679 非本徵半導體中少數載流子擴散長度的測試—表面光電壓法	SEMIM43 晶片納米形貌報告指南（Guide for reportingwafer nanoyopgraphy）
SEMI M67 晶片近邊緣幾何形態的評價ESFQR、ESFQD、ESBIR法	SEMI M68 晶片近邊緣幾何形態的評價—高度徑向二階導數法
SEMI M70 晶片近邊緣幾何形態的評價—局部平整度法	SEMI M77 晶片近邊緣幾何形態的評價—邊緣捲曲法

積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片

基本介紹