矽外延是在高溫下通過氣相化學反應，在拋光的矽單晶片上生長一層或多層矽單晶薄膜，通過控制生長條件，可以獲得不同電阻率，不同厚度及不同型號的外延層，主要用於製造各種矽積體電路和分立器件中重要的基礎材料，大直徑的矽積體電路晶片生長線均選用矽外延作為起始材料。
矽外延是在高溫下通過氣相化學反應，在拋光的矽單晶片上生長一層或多層矽單晶薄膜，通過控制生長條件，可以獲得不同電阻率，不同厚度及不同型號的外延層，主要用於製造各種矽積體電路和分立器件中重要的基礎材料，大直徑的矽積體電路晶片生長線均選用矽外延作為起始材料。
《參考，材料化學·第二版》
