碳化矽半導體技術與套用（原書第2版）

內容簡介

以日本碳化矽學術界元老京都大學名譽教授松波弘之、關西學院大學知名教授大谷昇、京都大學實力派教授木本恆暢和企業實力代表羅姆株式會社的中村孝先生為各技術領域的牽頭，集日本半導體全產業鏈的產學研各界中的骨幹代表，在各自的研究領域結合各自多年的實際經驗，撰寫了這本囊括碳化矽全產業鏈的技術焦點，以技術為主導、以套用為目的的實用型專業指導書。書中從理論面到技術面層次分明、清晰易懂地展開觀點論述，內容覆蓋碳化矽材料和器件從製造到套用的全產業鏈，不僅表述了碳化矽各環節的科學原理，還介紹了各種相關的工藝技術。

本書對推動我國碳化矽半導體領域的學術研究和產業發展具有積極意義，適合功率半導體器件設計、工藝設備、套用、產業規劃和投資領域人士閱讀，也可作為相關專業高年級學生的理想選修教材。

圖書目錄

推薦序一

推薦序二

譯者序

原書前言

原書編委會成員

原書作者名單

第1章碳化矽（SiC）技術的進展

1.1發展的歷史背景

1.2台階控制外延生長模式的發明（SiC技術的大突破）

1.3SiC襯底結晶的研發進展

1.4運用於功率半導體的前景

1.5肖特基二極體的產業化

1.6電晶體的產業化

1.7功率器件模組

第2章SiC的特徵

第3章SiC單晶的晶體生長技術

3.1SiC晶體生長的基礎

3.2升華法

3.2.1使用升華法生長大尺寸SiC晶體

3.2.2RAF生長法

3.3液相法

3.3.1通過添加金屬溶媒的SiC單晶液相生長

3.3.2在六方晶襯底上進行3C-SiC液相生長

3.3.3MSE法

3.4氣相法

3.4.1氣體生長法

3.4.2Si襯底上生長3C-SiC厚膜

3.5SiC晶體生長工藝的仿真模擬技術

3.5.1升華法生長單晶的仿真模擬

3.5.2橫向熱壁CVD生長模擬

第4章SiC單晶襯底加工技術

4.1SiC單晶多線切割

4.1.1加工設備以及工具

4.1.2各種加工方式的優缺點

4.2SiC單晶襯底的研磨技術

4.2.1粗加工

4.2.2精加工

4.2.3雙面CMP

4.3SiC單晶的新加工法

4.3.1CARE法

4.3.2放電加工法

第5章SiC外延生長技術

5.1SiC外延生長的基礎

5.2SiC外延生長技術的進展

5.2.1SiC外延層的高品質化

碳化矽半導體技術與套用（原書第2版）

基本介紹

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