碳化矽半導體材料是一種共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。
碳化矽半導體材料是一種共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。
碳化矽半導體材料是一種共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。...... 碳化矽半導體材料是一種共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。...
《國外電子與通信教材系列:碳化矽半導體材料與器件》是一本系統介紹碳化矽半導體材料及器件的專著,主要論述了SiC材料與器件中的相關基礎理論,內容包括:SiC材料特性、SiC...
碳化矽晶片的主要套用領域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統矽數倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優良特性,在高溫、高壓、高頻、大...
半導體材料(semiconductor material)是一類具有半導體性能(導電能力介於導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm範圍內)、可用來製作半導體器件和積體電路的...
冶煉碳化矽的方法,也就是大家常說的艾奇遜爐,一直沿用至今,以碳質材料為爐芯體...由於其高熱導性、高崩潰電場強度及高最大電流密度,在半導體高功率元件的套用上...
碳化矽(SiC)材料因其優越的物理特性,開始受到人們的關注和研究。自從碳化矽1824年...一般而言,半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比,故在相似的功率等級下,SiC...
基於寬禁帶半導體材料(如碳化矽)的電力電子器件將具有比矽器件高得多的耐受高電壓的能力、低得多的通態電阻、更好的導熱性能和熱穩定性以及更強的耐受高溫和射線...
《半導體材料技術》較為詳細地介紹了以矽、鍺為代表的第一代半導體材料,以砷化鎵和磷化銦為代表的第二代半導體材料,以耐高溫化合物為代表的寬禁帶第三代半導體材料...
直到1885年,Acheson首次生長出SiC晶體之後,人們才開始對SIC的特性、材料製備方法...而且一些國際電子業巨頭也都投入巨資發展碳化矽半導體器件,如德國的英飛凌半導體...
所以,這樣你就懂得由這種材料做成的晶片就稱為半導體矽晶片。下面是它的一些套用...天富熱電控股子公司北京天科合達藍光半導體有限公司一直致力於碳化矽晶片的研發...
SiC一維納米材料由於自身的微觀形貌和晶體結構使其具備更多獨特的優異性能和更加廣泛的套用前景,被普遍認為有望成為第三代寬頻隙半導體材料的重要組成單元。...
半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在消費電子、通信系統、醫療儀器等領域有廣泛套用。如二極體就是採用半導體製作的器件。無論從科技或是經濟...
Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料的主要套用學科為材料科學技術,是由ⅣA族元素組成的一類材料。...
天津西美半導體材料有限公司是一家企業機構,位於天津。...... 天津西美半導體材料有限公司主營產品為藍寶石襯底、矽片、鍺單晶片、砷化鎵晶片、碳化矽以及其他半導體材料...
β-SiC,與金剛石接近,光潔度及拋光性能遠超白剛玉和α-SiC(黑碳化矽和綠...性能和製備中的更高純度,使其在電工電子材料領域的套用尤其半導體領域的套用更有...
綠碳化矽微粉生產方式與黑碳化矽基本相同,只是對原材料的要求不同。綠碳化矽是以石油焦和優質矽石為主要原料,添加食鹽作為添加劑,通過電阻爐高溫冶煉而成,經冶煉成的...
碳化矽器件的出現大大的改善了半導體器件的性能,滿足國民經濟和國防建設的需要,目前,美國、德國、瑞典、日本等已開發國家正競相投入巨資對碳化矽材料和器件進行研究。...