《碳化矽金屬-半導體雙極型電晶體的研究》是依託西安電子科技大學，由張玉明擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：碳化矽金屬-半導體雙極型電晶體的研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張玉明
- 依託單位：西安電子科技大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60876061
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 申請代碼：F0405
- 支持經費：40（萬元）
中文摘要
寬禁帶半導體材料碳化矽具有臨界擊穿電場大、飽和漂移速度大、熱導率高的特點。因此，碳化矽器件具有傳統材料器件無法比擬的優勢。但是，由於材料特性及工藝水平的限制，普通結構的碳化矽雙極電晶體開啟電壓偏高，電流增益偏低，且工作頻率有限，這不僅限制了器件的開關和放大性能，而且阻礙了器件在射頻套用領域的發展前景。針對以上問題，本項目提出對碳化矽金屬-半導體雙極型電晶體（4H-SiC MSBJT）的研究，利用新的器件結構降低開啟電壓，抑制界面陷阱效應，改善器件特性，實現碳化矽器件在射頻功率套用領域的突破。主要研究內容圍繞建立器件模型、探索器件工藝、最佳化材料生長工藝、實現功率封裝等開展，完成晶片設計和仿真評估，並投片驗證設計結果。
