基本介紹
- 中文名：砷化銦
- 英文名：indium arsenide
- 化學式：InAs
- 分子量：189.7396
- 密度：5.66g/cm(固態)、5.90g/cm(熔點時液態)
物理結構,功能用途,
物理結構
常溫呈銀灰色固體，具有閃鋅礦型的晶體結構，晶格常數為0.6058nm，密度為5.66g/cm(固態)、5.90g/cm(熔點時液態)。能帶結構為直接躍遷，禁頻寬度(300K)0.45eV。InAs相圖如圖所示。
InAs在熔點(942℃)時砷的離解壓只有0.033MPa，可在常壓下由熔體生長單晶。常用的有HB和LEC方法，單晶直徑達φ50mm。
InAs是一種難於純化的半導體材料。非摻In．As單晶的剩餘載流子濃度高於l×10/cm，室溫電子遷移率3.3×10^3cm/(V·s)，空穴遷移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝係數接近1，故用作n型摻雜劑，以提高縱向載流子濃度分布的均勻性。工業用的InAs(s)單晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。
功能用途
InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效應和小的電阻溫度係數，是製造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的發射波長3.34μm，在InAs襯底上能生長晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可製造2～4μm波段的光纖通信用的雷射器和探測器。
