《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法》是2010年中國標準出版社出版的圖書，作者是中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局、中國國家標準化管理委員會。
基本介紹
- 中文名：矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
- 作者：中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
- 出版社：中國標準出版社
- 出版時間：2010年1月1日
- 頁數：14 頁
- 開本：16 開
- ISBN：155066139567
- 外文名：Test Method for Detection of Oxidation Induced Defects in Polished Silicon Wafers
- 語種：簡體中文
內容簡介
《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》的附錄A為資料性附錄。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》起草單位：峨嵋半導體材料廠。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》主要起草人：何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》所代替標準的歷次版本發布情況為：GB 4058—1983、GB/T 4058—1995；GB 6622—1986、GB 6623—1986。
《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》代替GB/T 4058—1995《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法》。《矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法(GB/T 4058-2009)》與GB/T 4058—1995相比，主要有如下變化：1.範圍中增加了矽單晶氧化誘生缺陷的檢驗；2.增加了引用標準；3.增加了“術語和定義”章；4.將原標準中“表1 四種常用化學拋光液配方”刪除，在第5章中對化學拋光液配比進行了修改，刪除了乙酸配方；增加了鉻酸溶液A的配製、Sirtl腐蝕液及Wright腐蝕液的配製；增加了幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、套用及適用性的分類對比表；5.採用氧化程式替代原標準中的氧化的操作步驟；增加了（111）面缺陷的顯示方法及Wright腐蝕液的腐蝕時間，將（111）面和（100）面缺陷顯示方法區分開了；（100）面缺陷的顯示增加了Wright腐蝕液腐蝕方法；6.在缺陷觀測的測點選取中增加了“米”字型測量方法。
