《石墨稀及其相關結構生長與電子性質研究》是依託浙江大學,由何丕模擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:石墨稀及其相關結構生長與電子性質研究
- 依託單位:浙江大學
- 項目負責人:何丕模
- 項目類別:面上項目
《石墨稀及其相關結構生長與電子性質研究》是依託浙江大學,由何丕模擔任項目負責人的面上項目。
《石墨稀及其相關結構生長與電子性質研究》是依託浙江大學,由何丕模擔任項目負責人的面上項目。項目摘要課題將通過不同的襯底和碳源(如分解碳氫化合物)進行嘗試,以期找到新的生長石墨烯的方法,結合生長動力學方面的研究,探索石墨烯...
《金屬表面石墨烯的可控生長、表征、與電學性質研究》是依託北京師範大學,由何林擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 二維石墨烯量子體系由於其高電子遷移率、新奇的能帶結構、易調控的電學性質,將有可能在下一代電子器件中有廣泛的套用,...
這是單層石墨烯所具有的不尋常低能電子結構。室溫下對雙柵極雙層石墨烯場效應電晶體施加電壓,石墨烯的帶隙可在0~0.25eV間調整。施加磁場,石墨烯納米帶的光學回響可調諧至太赫茲範圍。當入射光的強度超過某一臨界值時,石墨烯對其的...
《石墨烯定向可控生長、場發射電子相干性及機理探索》是依託中山大學,由張宇擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 直立型石墨烯可能是一種優秀的相干電子源材料。首先,石墨烯具有彈道電子輸運的物理特性,其次,石墨烯的場發射性能...
首先,採用化學氣相沉積法和固源生長法製備大面積的氮摻雜石墨烯,系統研究生長工藝和金原子插層退火工藝對氮原子摻雜結構和濃度的影響規律,實現氮摻雜石墨烯的可控制備;然後在此基礎上,系統分析製備工藝、摻雜結構和濃度、石墨烯電子輸運...
1.2.1 石墨烯的基本結構 011 1.2.2 石墨烯的 TEM 表徵結果 012 1.2.3 石墨烯的 STM 表徵結果 013 1.3 石墨烯的電子能帶結構 014 1.3.1 石墨烯的緊束縛近似理論 014 1.3.2 石墨烯的 ARPES表徵結果 016 1.3.3 石墨...
《Bi2S3/石墨烯複合納米材料的可控生長及其光電子器件研究》是依託北京大學,由李艷平擔任負責人的青年科學基金項目。項目摘要 Bi2S3是一種無毒環保、性能優良的半導體材料,在光電子器件領域具有廣泛的套用前景。然而,目前在器件製作中很...
石墨烯多層和超晶格中的電子性質既有別於石墨烯單層中的無質量的Dirac電子,又從本質上不同於普通固體材料中的薛丁格電子。系統研究這些結構中的電子特性有助於加深對Dirac費米子物理規律的理解, 揭示碳基材料的新型電子性質,並從中提煉...
石墨烯的特殊電子特性,吸引很多研究工作者的興趣。因它有很長的自旋弛豫時間,故此也被視為製造自旋電子器件的重要材料。最近人們亦開展了用石墨烯納米結構製造量子位元的研究,以及亦對由缺陷、摻雜和邊緣態所產生自發磁化展開詳細基本及...
基於石墨烯、外延石墨烯、類石墨烯等石墨烯材料的結構以及組成粒子的相互作用和運動特點,對石墨烯材料的熱力學和電學性能的變化規律及其非簡諧效應,從理論上進行深入的定量研究。突出了石墨烯材料的熱學和電學性能非簡諧效應在高蓄熱材料...
另外,我們的研究還發現在多層石墨烯間填充氮化硼可以抑制石墨烯中電子的層間散射,從而增強多層石墨烯體系在平面方向上的電導率。由於氮化硼的插入削弱了石墨烯層間的相互作用,從而使各層石墨烯在堆疊中仍保持單層的特性,基於這樣的結...
皺褶結構等對有機半導體界面吸附結構和行為的影響以及界面結構與薄膜、器件性能的關係;將石墨烯薄膜轉移到Si/SiO2、聚合物薄膜等不同基底上,研究基底-石墨烯相互作用對石墨烯電子性質及界面組裝結構的影響;採用掃描隧道顯微鏡、掃描隧道...
《石墨烯體系中一維拓撲受限電子態輸運性質的研究》是依託中國科學技術大學,由喬振華擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 石墨烯獨特的蜂窩狀六角晶格結構決定了其特有的多種雙重自由度:電子自旋、A/B子晶格贗自旋、K/K'谷贗自旋、以及...
近年來,石墨烯結構中電子的輸運性質是當前國際上研究的一個熱點問題。石墨烯具有許多不同尋常的性質。通過三年的努力工作,完成了以下幾個方面的研究:1.不對稱石墨烯波導中的導模;2.石墨烯勢壘波導中的導模; 3. 含周期勢的石墨烯...
此類材料的縱向結構相較於其平面結構往往會表現出更加獨特的性質。本項目在生長出石墨烯的基礎上,採用倒置工藝,將生長石墨烯與CMOS工藝集成,製備了埋柵石墨烯場效應電晶體。基於此電晶體,國際上率先製備出了石墨烯雙平衡混頻器電路及...
ZnO納米棒具有優異的光學性質,石墨烯具有優良的電學性質並且可變形,製備出高質量ZnO納米棒/石墨烯異質結能夠發揮兩者協同效應,有望在高性能柔性光電子器件中實現重要套用。然而,目前的研究僅限於該異質結構在相關器件中的性能最佳化嘗試,...
(1)我們研究了石墨烯塊材料中鐵磁條、應力、自旋軌道耦合以及交換場能作用下“谷”相關輸運過程,設計了“谷”過濾以及巨磁阻效應的結構,提供了贗磁場以及Rashba自旋軌道耦合作用無法導致垂直於石墨烯平面的自旋極化產生的理論依據;(2...
利用各種實驗技術,特別是同步輻射實驗技術對製備的樣品進行原位或非原位的結構表征,從而揭示石墨烯在SiC表面的形成和界面結構以及界面對石墨烯電子結構的影響。本課題的研究,不僅在基礎研究上具有重要意義,而且在實際套用中也具有重要價值...
這兩個特點將會顯著影響材料的電子發射特性,因此石墨烯表面電子發射將具有不同於我們已知電子發射規律的新規律,並有可能發展出新型電子源。本項目主要研究了以下內容:(1)石墨烯表面電子發射結構的製備和加工,(2)石墨烯在內電場驅動...
通過控制反應時間,可以有效調節碳點和石墨烯類似物的尺寸; 4. 碳點的發光機理探究發現,碳點骨架中含有的推-拉電子結構官能團單元是其螢光發射的重要來源。部分具有極高螢光量子產率的碳點的發光可以歸因於有機發光團的存在。本項目合成的...
.本項目採用直流氫電弧放電法製備含有數個原子層的石墨烯,尋找石墨烯的最佳生長條件,探索石墨烯的生長機理,開發石墨烯的大量製備技術。研究石墨烯碳原子層層數與生長條件的關係,觀察石墨烯邊緣處的原子結構,獲取局域電子態信息,製備Si...
耿德超(中國科學院化學研究所)1.1石墨烯的發現歷史002 1.2石墨烯的基本結構與性能006 1.2.1石墨烯的基本結構006 1.2.2石墨烯的基本性能006 1.3石墨烯的基本表征手段015 1.3.1光學顯微分析015 1.3.2電子顯微分析018 1.3....
提出物理模型,並發展相關計算方法,揭示襯底作用下石墨烯電子和輸運性質,及與雜質、缺陷、外場的相互作用規律,探究缺陷結構-電子性質-物理性能-器件套用之間的內稟關係,提出性能調控手段和從襯底上解離石墨烯方法,解釋實驗現象及其物理...
本項目以設計基於石墨烯的新型納米光電子器件為目標,系統地解決相關的三個基礎問題,即如何根據期望的光電特性確定對應的納米結構,如何製備這種結構以及如何預測並提高其熱穩定性。具體研究內容包括完善申請人最近建立的單原子統計模型用於...
5.2.2 石墨烯的電子態密度 5.2.3 石墨烯納米結構的電子性質 5.2.4 雙層和多層石墨烯 5.3 石墨烯的力學與熱學性能 5.3.1 石墨烯的形貌 5.3.2 石墨烯的力學性質 5.3.3 石墨烯邊緣的結構與力學 5.3.4 石墨烯的聲子...
《石墨烯的可控生長及其性能調控》,是依託於中國科學院化學研究所,由劉雲圻等人完成的科研項目。參與情況 主要完成人:劉雲圻(中國科學院化學研究所)於 貴(中國科學院化學研究所)武 斌(中國科學院化學研究所)魏大程(中國科學...
2.2.2 生長襯底表面的碳源裂解過程045 2.3 生長動力學047 2.3.1 金屬襯底溶碳能力的影響047 2.3.2 生長基元步驟048 2.3.3 生長邊緣結構061 2.4 氫氣的作用068 參考文獻075 第3章 石墨烯在金屬襯底上的催化生長079 3.1 ...
因此研究電子束輻照下石墨烯的結構演變和性能變化是該領域重要課題。本項目首次在透射電子顯微鏡下實時觀察石墨烯量子點在電子束輻照下的分形生長過程,形成的石墨烯量子點分形結構可能具有良好的場發射性能,有望套用於場效應電晶體。本項目...
《石墨烯納米帶電子結構與物性應力調控研究》是依託湖南師範大學,由周光輝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 石墨烯納米帶是繼碳納米管後倍受關注的新型準一維體系,人們已採用摻雜、邊緣原子修飾及外場等方法研究了其微結構與物性的調控,...
《碳化矽表面的石墨烯外延生長研究》是依託北京大學,由吳孝松擔任項目負責人的...可以用柵極調控的能帶結構、低溫下絕緣的體態、較為精確的邊緣態量子化電導...邊緣態電子表現出Luttinger液體行為等,解決這些物理問題不僅對我們深入理解InAs...