Bi2S3/石墨烯複合納米材料的可控生長及其光電子器件研究

《Bi2S3/石墨烯複合納米材料的可控生長及其光電子器件研究》是依託北京大學，由李艷平擔任負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

• 中文名：Bi2S3/石墨烯複合納米材料的可控生長及其光電子器件研究
• 項目負責人：李艷平
• 項目類別：青年科學基金項目
• 依託單位：北京大學

項目摘要

Bi2S3是一種無毒環保、性能優良的半導體材料，在光電子器件領域具有廣泛的套用前景。然而，目前在器件製作中很難在襯底上實現具有良好均勻性、重複性以及圖形化分布的Bi2S3納米材料層，並且襯底材料不同工藝也會不同。因此，目前的器件工藝存在研製周期長和成本高的問題。本項目擬採用籽晶技術與水熱相結合的方法可控生長新穎的Bi2S3/石墨烯複合納米材料，即在石墨烯上生長不同尺寸、形貌的Bi2S3納米材料並實現其圖形化分布，利用石墨烯良好的可轉移性和目標襯底普適性來解決Bi2S3納米材料在光電子器件領域中難以推廣使用的局限性。深入研究Bi2S3/石墨烯複合納米材料的光電特性以及Bi2S3納米材料與石墨烯界面處的獨特性質，設計並製作基於Bi2S3/石墨烯複合納米材料的新型光電子器件，尋求提高器件性能的方法與途徑。本項目對於推動Bi2S3納米材料的發展及其在各種光電子器件中的廣泛套用具有重要意義。

結題摘要

二維過渡金屬硫族化合物由於其新奇的電學和光學性能，在納電子器件領域及新型光電器件領域具有重要的套用前景，吸引了諸多研究者的關注。本項目製備了高質量的二維過渡金屬硫族化合物，如MoS2、MoTe2、WTe2等。通過AFM，SEM，光致螢光，旋光測量及各向異性拉曼等手段研究了其物理特性，並基於這些二維材料製備了新型二維材料石墨烯基的光電器件。