《金屬表面石墨烯的可控生長、表征、與電學性質研究》是依託北京師範大學,由何林擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:金屬表面石墨烯的可控生長、表征、與電學性質研究
- 依託單位:北京師範大學
- 項目負責人:何林
- 項目類別:面上項目
《金屬表面石墨烯的可控生長、表征、與電學性質研究》是依託北京師範大學,由何林擔任項目負責人的面上項目。
《金屬表面石墨烯的可控生長、表征、與電學性質研究》是依託北京師範大學,由何林擔任項目負責人的面上項目。項目摘要二維石墨烯量子體系由於其高電子遷移率、新奇的能帶結構、易調控的電學性質,將有可能在下一代電子器件中有廣泛的套用...
石墨烯(Graphene)是碳的同素異形體,碳原子以sp²雜化鍵合形成單層六邊形蜂窩晶格石墨烯。利用石墨烯這種晶體結構可以構建富勒烯(C60)、石墨烯量子點,碳納米管、納米帶、多壁碳納米管和納米角。堆疊在一起的石墨烯層(大於10層)即形成石墨,層間通過范德華力保持在一起,晶面間距0.335納米。石墨烯具有優異...
《石墨烯》是2017年化學工業出版社出版的圖書,作者是劉雲圻。內容簡介 本書依據作者研究團隊以及國內外石墨烯材料的最新研究進展,從基礎到套用較全面地概述了石墨烯的基本概念、基本理論和原理,詳細敘述了石墨烯的製備方法、生長機理、凝聚態結構和石墨烯化學,重點闡述了石墨烯的電學性質、光學性質和磁學性質,最後...
《類石墨烯表面結構和性能預測》是依託河北師範大學,由王靜擔任項目負責人的專項基金項目。項目摘要 石墨烯是近年來凝聚態物理研究的熱點問題之一。本項目擬採用基於密度函式理論的第一性原理方法和非平衡格林函式理論,通過對III-V族、II-VI族、I-VII族等半導體化合物廣泛搜尋,尋找穩定的類石墨烯新結構,探索可能...
研究表明,這種材料具有優異的熱電轉換和電化學能量存儲等性能。然而,與氧化石墨烯類似,這種方法製得的功能化的二維過渡族金屬碳化物納米片的片層尺寸小,在數納米到數微米之間,並且存在大量的缺陷和官能團,限制了對二維過渡族金屬碳化物基本物性的研究和套用探索。新發現 最近,中國科學院金屬研究所瀋陽材料科學國家(...
科學家說,他們是從另一種奇妙的新材料——石墨烯得到啟發的。石墨烯是單層碳原子網,是人類已知的最薄材料,電子在其中也能高速運動。但石墨烯缺乏能隙,用它製造的電晶體無法實現電流開關。氧化鉬材料本身擁有能隙,將它製成類似石墨烯的薄片後,既支持電子高速運動,其半導體特性又適合製造電晶體。科學家說,在...
《同位素石墨烯熱輸運研究》是依託廈門大學,由蔡偉偉擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 自從2004年首次成功獲得石墨烯以來,研究熱潮接踵而來。然而目前為止,由於材料製備的難度和測試條件的限制,相對石墨烯的電學性質,人們對其熱學性質的了解還較少,大量的研究還只是集中在理論推導和分子動力學模擬。本項目...
2.3 石墨烯的表征 12 2.3.1 拉曼光譜術 12 2.3.2 電子顯微像、電子衍射花樣和能量損失譜術 24 2.3.3 原子力顯微術和掃描隧道顯微術 29 2.3.4 光學顯微術 35 2.3.5 元素分析 38 2.4 石墨烯的製備 41 2.4.1 剝離法 41 2.4.2 外延生長法 45 2.4.3 化學氣相沉積法 48 2.4.4 氧化...
其次,通過控制生長條件,在石墨烯片層及具有Moire Patterm的HOPG表面構建Fe、Co量子點及量子線結構,利用掃描隧道顯微技術表征鐵磁材料表面形貌及電子態結構,認識其電子態耦合特性。接著,結合傳統CVD方法,引入熱蒸鍍CVD生長技術,實現了大面積單層TMDCs晶體的生長,並在此基礎上構築了平面與垂直異質結構,進而實現了...
本項目有助於理解以InGaN代替藍、綠光LED中GaN層後LED的生長過程和發光機制。結題摘要 本項目以減小藍、綠光LED有源區中的壓電極化場和位錯密度從而提高器件發光效率為目標,從材料生長與表征、器件結構生長與光電性能測試、器件性能理論計算三方面展開研究。利用金屬有機化學氣相沉積方法生長了不同In組分的InxGa1-xN...
4.3.3 電漿增強CVD高通量沉積技術製備石墨烯 128 4.3.4 高生產力組合設備平台技術篩選半導體材料與器件 134 4.4 本章小結 136 參考文獻 136 第5章 多組元高溫陶瓷塗層高通量化學氣相沉積技術 138 5.1 基本原理和技術套用 138 5.1.1 CVD基本原理和步驟 138 5.1.2 CVD技術在陶瓷材料中的套用 139...
4.在本項目的支持下,我們拓展了研究領域,開展了新型有機半導體材料的合成與電學性質表征。我們設計併合成了多個雙極性有機半導體材料,並將其套用在有機場效應電晶體,CMOS反相器等領域。同時,也套用分子電子學手段,構築單個分子的電學器件,研究分子結構與電子傳輸性能的基本關係。我們也嘗試將有機光電材料與新型...
2.2 SiC表面外延生長法 041 2.2.1 在SiC的Si終止面外延生長石墨烯 042 2.2.2 在SiC的C終止面外延生長石墨烯 043 2.3 電弧放電法 044 2.4 氧化還原法 045 2.4.1 石墨氧化物的製備 045 2.4.2 石墨氧化物的還原 049 2.5 化學氣相沉積法 056 2.5.1 金屬表面化學氣相沉積 056 2.5.2 絕緣基底...
研究內容包括高質量的鐵磁半金屬與石墨烯薄膜的製備與最佳化;版圖設計、自旋MOSFET結構模型的構造;半導體製備工藝與金屬/氧化物多層膜製備工藝的集成技術的研究;薄膜質量及界面對自旋輸運的影響;各工藝環節對自旋MOSFET器件功能的影響,及電極尺寸、薄膜厚度、溝道長度的合理設計與最佳化;自旋MOSFET器件的電學性質測試及器件...
6.2 石墨烯分子的組裝 6.2.1 構象誘導的正反交替組裝結構 6.2.2 烷基取代對組裝的影響及機理研究 6.2.3 單分子電學性質研究 6.3 二元分子的圖案化組裝 6.3.1 長方形雜化結構與單組分DTT結構並存 6.3.2 長方形一菱形雜化結構 6.3.3 菱形雜化結構與正方形雜化結構 6.3.4 長菱形雜化結構和PBP單組分...
無機類石墨烯材料自旋和電學行為調控及其在電催化中的套用 徐坤 博士 2015年 二維納米材料界面電荷分離策略及在太陽能轉化中的套用 畢文團 博士 2015年 過渡金屬硫屬化合物本徵電學行為調控及其在催化領域的套用 孫旭 博士 2014年 新型層狀鉍釩氧基化合物微納結構的合成及其性能研究 管航敏 博士 2014年 二維超薄鹵...
單壁碳納米管可以看做石墨烯納米帶捲起來形成的密封管。半導體性碳納米管是直接帶隙半導體材料,為研究一維電學和光電特性提供了理想的平台。 在本項目支持下,我們製備了碳納米管/石墨烯準二維混合薄膜,測試了材料的物理特性,研究了界面的載流子遷移,表征了採用此混合薄膜作為溝道的光探測電晶體的性能。我們在碳...
石墨烯薄膜柔性陣列感測器的溫度/接近信息採集系統劉彩霞 黃英 劉平 張玉剛 田敏 王大月 騰珂 357 單分散金系雙金屬納米顆粒AuM(M=Pd,Rh,Pt)用於增強雙氧水的電化學檢測韓婷婷 張源 徐甲強 董俊萍 362 MEMS眼壓感測器研究進展綜述王軍波 劉麗娟 陳德勇 陳健 365 介孔氧化鈦的製備、表征及其QCM氣敏性能研究李慧敏 胡平...
微乳液法製備納米催化劑,具有所需設備簡單、實驗條件溫和、粒子尺寸可控等優點,這是其它方法所不能比擬的。因此,成為納米催化劑合成中令人十分關注的技術。關於微乳液法製備納米催化劑方法的研究多集中於對粒子尺寸的控制上,關於對粒子單分散性的控制研究還比較少。4、溶膠-凝膠法(sol-gel)該法是利用金屬醇鹽的...