《SiC表面石墨烯的外延生長及其界面結構的同步輻射表征》是依託中國科學技術大學，由徐彭壽擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：SiC表面石墨烯的外延生長及其界面結構的同步輻射表征
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：徐彭壽
- 依託單位：中國科學技術大學
- 批准號：50872128
- 申請代碼：E0203
- 負責人職稱：研究員
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：38（萬元）
中文摘要
石墨烯（Graphene）是近幾年新發現的由六邊形格線形成的二維碳平面材料。由於它在電學特性方面具有許多優良性質，從而在納米電子學和自旋電子學元器件的製備以及大規模集成納電子電路的設計中有重要套用。本課題打算利用我們已有的超高溫分子束外延設備，使用高溫退火或高溫退火併輔助C束流的方法，通過控制生長條件、最佳化生長工藝，在SiC表面外延生長結晶性能良好、層數可控的單層或多層石墨烯樣品。利用各種實驗技術，特別是同步輻射實驗技術對製備的樣品進行原位或非原位的結構表征，從而揭示石墨烯在SiC表面的形成和界面結構以及界面對石墨烯電子結構的影響。本課題的研究，不僅在基礎研究上具有重要意義，而且在實際套用中也具有重要價值。
