溝道電荷注入,在金屬-氧化物-半導體(MOS)器件導通或關斷的瞬間,溝道區內的電荷流入或流出MOS開關,改變對應節點的電壓,引入誤差的現象。對於分立器件,可採用互補型金屬-氧化物-半導體(CMOS)結構減小溝道電荷注入的影響;對於電路級,可採用全差分結構,將電荷注入導致的誤差作為共模干擾加以抑制。
基本介紹
- 中文名:溝道電荷注入
- 所屬學科:化學
溝道電荷注入,在金屬-氧化物-半導體(MOS)器件導通或關斷的瞬間,溝道區內的電荷流入或流出MOS開關,改變對應節點的電壓,引入誤差的現象。對於分立器件,可採用互補型金屬-氧化物-半導體(CMOS)結構減小溝道電荷注入的影響;對於電路級,可採用全差分結構,將電荷注入導致的誤差作為共模干擾加以抑制。
溝道電荷注入,在金屬-氧化物-半導體(MOS)器件導通或關斷的瞬間,溝道區內的電荷流入或流出MOS開關,改變對應節點的電壓,引入誤差的現象。對於分立器件,可採用互補型金屬-氧化物-半導體(CMOS)結構減小溝道電荷注入的...
溝道電荷注入 溝道電荷注入,在金屬-氧化物-半導體(MOS)器件導通或關斷的瞬間,溝道區內的電荷流入或流出MOS開關,改變對應節點的電壓,引入誤差的現象。對於分立器件,可採用互補型金屬-氧化物-半導體(CMOS)結構減小溝道電荷注入的影響;對於電路級,可採用全差分結構,將電荷注入導致的誤差作為共模干擾加以抑制。
②橫向電荷注入~ 可使溝道的側面橫向靜電“開通”,讓電荷從位於溝道邊緣的歐姆接觸注入。這種輸入結構在採用電荷存儲單元的情況下對於要求電荷全部從橫向輸入源積累到多個位置上的套用來說極為有用。③電荷的存儲~ 電荷存儲單元由存儲電極和兩個Schottky外圍勢壘電極構成。若沿溝道長度設定多個存儲單元構成陣列,由此陣列...
(3)實驗論證了SiC-VDMOS主要電學特性不隨體二極體浪涌電流脈衝次數的增加而變化;(4)揭示了SiC-VDMOS在感性負載重複UIS應力下的主要退化機理為雪崩過程中JFET區柵氧界面中正電荷的注入;(5)揭示了SiC-VDMOS在阻性負載重複開關應力下的損傷機理為器件溝道區氧化層中的負電荷注入;(6)基於SiC-VDMOS在動態柵應力...
通過微/納製造技術構築微/納溝道和空洞結構模板,探索與其層數相關的彈性模量;使用原子力顯微鏡技術進行硫化鉬原位力電耦合實驗,探索機械形變、外加電場對硫化鉬電輸運性能的調控規律;同時將分子動力學模擬和密度泛函理論結合,發展硫化鉬層數相關的彈性及力電耦合物理力學建模和計算技術,探索層間耦合、電荷注入對硫化...
6.2.1p溝道有機半導體 6.2.2n型半導體 6.2.3雙極性半導體 6.3套用展望 參考文獻 7.1光致變色概述 7.1.1有機光致變色材料的基本概念 7.1.2主要的有機光致變色體系簡介 7.1.3有機固態光致變色化合物 7.2螺環類有機光致變色材料 7.2.1螺嗪類有機光致變色材料 7.2.2螺吡喃類有機光致變色...
所謂電信號注入,就是CCD通過輸入結構對信號電壓或電流進行採樣,將信號電壓或電流轉換成信號電荷。圖b所示是用輸入二極體進行電注入,該二極體是在輸入柵襯底上擴散形成的。當輸入柵IG加上寬度為△t的正脈衝時,輸入二極體PN結的少數載流子通過輸入柵下的溝道注入 電極下的勢阱中,注入電荷量 。CCD最基本的結構是一...
2.4.4 短溝道IV特性 2.4.5 溫度效應 2.4.6 MOS電晶體的限制 2.5 SPICE和建模 2.5.1 SPICE簡介 2.5.2 二極體模型 2.5.3 MOS電晶體模型 2.6 小結 參考文獻 習題 第3章 CMOS積體電路製造 3.1 基本工藝 3.1.1 熱氧化 3.1.2 摻雜工藝 3.1.3 光刻 3.1.4 薄膜去除 3.1.5 薄膜澱積...
為了提升像素中的電荷傳輸效率,從理論和器件模型兩方面進行了研究,在理論方面,通過對光子回響、噪聲曲線和像素內電荷轉移的RC模型的分析,在轉移效率和轉移時間之間進行了折中,在器件模型上,對傳輸電晶體的溝道進行了非均勻摻雜和抗穿通(APT)注入,顯著的提升了電荷傳輸效率。在列級讀出電路方面:為了減小開關電容...