浸沒式光刻技術是指在投影 物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體 (目前多為水)。
基本介紹
- 中文名:浸沒式光刻技術
浸沒式光刻技術是指在投影 物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體 (目前多為水)。
浸沒式光刻 浸沒式光刻,將某種液體充滿投影物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片之間,通過改變折射率來增加系統的數值孔徑的光刻技術。可以將光刻的特徵尺寸從193納米減小到45納米以下,大大提高其解析度。
ArF浸沒式兩次曝光技術已被業界認為是32nm節點最具競爭力的技術;在更低的22nm節點甚至16nm節點技術中,浸沒式 光刻技術也 具 有相當大 的優勢。浸沒式光刻技術所面臨的挑戰主要有:如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題;研發和...
《浸沒流場及納米氣泡對45納米光刻分辯率的影響》是依託浙江大學,由傅新擔任項目負責人的重大研究計畫。項目摘要 浸沒式光刻是光刻技術發展的趨勢和前沿,在光刻分辯率不斷逼近22納米物理極限過程中,浸沒流場及流場中納米氣泡對曝光的影響...
《浸沒流場動態潤濕行為與殘留液漬控制的基礎研究》是依託浙江大學,由胡亮擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 如何在保證曝光質量的前提下提高掃描速度,是浸沒式光刻技術面臨的重要挑戰,其關鍵在於避免高速掃描過程中矽片表面殘留液漬進而...
《套用矢量成像模型的光源-掩模最佳化技術基礎研究》是依託北京理工大學,由馬旭擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 45nm-16nm浸沒式光刻系統的解析度增強技術是當前國際前沿課題。其中光源-掩模最佳化(source-mask optimization,簡稱SMO)...
從32nm半周期節點開始(對應20nm邏輯節點),即使使用1.35NA的193nm浸沒式光刻機,k₁因子也小於0.25。一次曝光無法分辨32nm半周期的圖形,必須使用雙重光刻技術。使用0.32NA的EUV光刻,即使是11nm半周期的圖形,k₁仍然可以大於0...
紫外光刻膠適用於g線(436 nm)與i線(365 nm)光刻技術。 負性光刻膠 1.環化橡膠型光刻膠:屬於聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解後,用環化劑環化製備而成的。一般來說,橡膠具有較好的耐腐蝕性,但是它的感光活性...
對於SAQP和更複雜的SAOP,裁剪結構需要使用至少2層掩模,並使用LELE或LEⁿ技術對裁剪結構進行多重圖形光刻。裁剪掩模數量越多,其對工藝控制越嚴格。因此,在7 nm技術節點,基於193 nm浸沒式光刻的SAQP技術,特別是金屬互連線圖層,以...
AMD智慧型預取技術 — 使共享三級快取中的數據存儲合理化,從而使定位信息所需的處理循環數更少。通過使處理器保持睡眠狀態以及在核心間共享快取中存儲的數據,為CPU提供節能特性。 採用浸沒式光刻的45納米處理技術 — 在更小的空間內放入...
《衍射極限附近的光刻工藝》是2020年2月清華大學出版社出版的圖書,作者是伍強。內容簡介 為了應對我國在積體電路領域,尤其是光刻技術方面嚴重落後於已開發國家的局面,破解光刻製造設備、材料和光學鄰近效應修正軟體幾乎完全依賴進口的困境,作為...
由IBM的Hans Pfeiffer領導的電子束研究已有30年歷史,開發了變軸浸沒透鏡縮小投影曝光(PREVAIL)技術,Nikon公司看好這項技術,與IBM合作,準備用這項技術研製高解析度與高生產率統一的電子束步進機。在PREVAIL樣機上,電子轟擊鉭單晶形成...
《半導體產業背後的故事》是2013年出版的圖書,作者是張汝京。圖書簡介 本書遴選了半導體產業發展歷史中重要的27項技術發明加以介紹,並著重於技術發明過程背後的一些故事。全書分為27章,內容涉及電晶體、CMOS、積體電路技術、浸沒式光刻、...
使用浸沒式光刻在 PS 層上製作出光刻膠條狀結構;使用離子刻蝕修飾光刻膠條寬度並轉移至 PS 層上;使用專用有機溶劑去除光刻膠;在沒有 PS 的區域製作中性層;洗去未接上的中性層材料,形成最終化學誘導襯底。圖1 刻蝕修飾法 刻蝕...
通過與IBM公司的合作,AMD公司已經制定了一個穩定、高效的浸沒式光刻技術進程,在保持產量符合傳統光刻技術的同時更是有著超過常規光刻技術40%的漲幅,採用AMD公司45納米技術的晶圓已經開始套用浸沒式光刻技術了,AMD公司的分析表明,浸沒式光...
1.4.4 液晶光閥技術 32 1.4.5 矽上液晶(LCoS)反射式顯示器 36 1.4.6 光計算用SLM 38 1.5 電光源和光電探測器 38 1.5.1 電光源 38 1.5.2 雷射器 41 1.5.3 光電導探測器 48 1.5.4 光伏探測器 49 1.5.5...
7.6.3光刻膠配製原理 7.6.4掩膜版製作介紹 7.7與解析度相關工藝視窗增強方法 7.7.1離軸照明 7.7.2相移掩膜版 7.7.3亞衍射散射條 7.7.4光學鄰近效應修正 7.7.5二重圖形技術 7.7.6浸沒式光刻 7.7.7極紫外光刻 參考...
( 6 ) 90nm光刻機照明系統多參數檢測技術研究, 主持, 國家級, 2009-07--2017-12 ( 7 ) 浸沒式光刻機照明系統多參數檢測裝置, 主持, 國家級, 2016-01--2020-12 ( 8 ) 基於微區RS和LIBS的中藥材殘留化合物與重金屬...
第9章 半導體尖端技術 078 矽晶圓的大尺寸化 下一代晶圓是450mm 079 MOS電晶體高速化 應變矽技術 080 新結構MOS電晶體 被稱作最終的電晶體結構 081 光刻技術的未來① 浸沒式曝光和雙重曝光 082 光刻技術的未來② EUV 083 光刻...