注氧隔離技術_中文百科全書

注氧隔離技術，英語縮寫SIMOX。通過在矽等半導體材料中注入氧離子並經高溫退火製備絕緣體上矽材料的技術。是最為成熟的絕緣體上矽技術之一。其原理是：先將一定能量、高劑量氧注入單晶矽中。為防止矽在注入過程中非晶化，在注入過程襯底中需要保持一定溫度。注入完成後在高溫下退火，減少或消除注入產生的缺陷，並形成界面陡直的二氧化矽埋層。厚度均勻，尤其適於製作薄膜絕緣體上矽材料。但需昂貴的大束流注氧專用機和專用退火爐進行高溫（大於等於1300℃）長時間（約5小時）退火，成本較高。