內氧化-注氧隔離技術

內氧化-注氧隔離技術，英語縮寫ITOX。經改進的一種注氧隔離新技術。在較低劑量氧注入後繼以高溫熱氧化處理過程。減少了絕緣體上矽頂層矽的位錯密度，提高了頂層矽和二氧化矽絕緣埋層的厚度均勻性及表面、界面的平面度，可減少二氧化矽絕緣埋層的針孔密度和金屬的沾污等。