SIMOX SOI晶片是在高溫條件下，將高劑量氧離子注入到單晶矽中形成隔離層，在超高溫退火條件下形成頂層矽、二氧化矽埋層、體矽三層結構的新型半導體材料。主要用於製造高速微處理器、高速通訊、三維圖象處理、先進多媒體電路、低壓低功耗移動計算機、行動電話、攜帶型電子設備電路。
基本介紹
- 中文名：SIMOX
- 外文名：separation by implantation of oxygen, separation with implanted oxygen
- 中文名：注氧隔離
- 技術特點：可實現完全介質隔離
SIMOX(separation by implantation of oxygen, separation with implanted oxygen)：注氧隔離
技術特點：
1.可實現完全介質隔離
2.低壓、低功耗
3.運行速度快
4.抗輻射性能好
5.耐高溫
