矽基光波導調製技術及其光開關陣列的研究

矽基光波導調製技術及其光開關陣列的研究

《矽基光波導調製技術及其光開關陣列的研究》是依託西安電子科技大學,由趙策洲擔任項目負責人的青年科學基金項目。

基本介紹

  • 中文名:矽基光波導調製技術及其光開關陣列的研究
  • 項目類別:青年科學基金項目
  • 項目負責人:趙策洲
  • 依託單位:西安電子科技大學
  • 批准號:69607004
  • 申請代碼:F0502
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:1997-01-01 至 1999-12-31
  • 支持經費:9(萬元)
中文摘要
基於大截面單模脊形波導條件,全內反射和電漿色散效應,通過結構參數和工藝參數的設計和全內反射與無間距定向耦合1×2或2×2開關單元的最佳化,採用矽MOS常規工藝和注氧隔離(SIMOX SOI)材料的外延工藝,已在注氧隔離材料上研製出1×4和4×4光波導電光調節器制開關陣列。在測試波長為1.3微的條件下,通過半導體雷射器的單模光纖的端焦耦合的光信號輸入,紅外變像管和雙蹤示波器對模式特性和光場分布的監測,採用電光調製技術,測得的SOI光波導開關陣列的性能指標如下:插入損耗為8分貝,波導傳輸損耗為每厘米0.57分貝,串音為一18分貝,調製電流為150毫安,調製電壓為2.8伏,調製頻率為1.2兆赫茲。

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