氧化鋅異質結構電致發光及缺陷和雜質的行為研究

《氧化鋅異質結構電致發光及缺陷和雜質的行為研究》是依託中國科學技術大學,由傅竹西擔任項目負責人的重點項目。

基本介紹

  • 中文名:氧化鋅異質結構電致發光及缺陷和雜質的行為研究
  • 項目類別:重點項目
  • 項目負責人:傅竹西
  • 依託單位:中國科學技術大學
  • 批准號:50532070
  • 研究期限:2006-01-01 至 2009-12-31
  • 申請代碼:E0207
  • 支持經費:100(萬元)
  • 負責人職稱:教授
中文摘要
本課題研究矽襯底上ZnO異質結構電致發光及缺陷和雜質的行為。根據我們在Si上通過SiC過渡層生長ZnO單晶薄膜和陽離子受主摻雜使紫外發光增強的優異結果,設計一種新型的電致發光異質結構:首先在Si基片上外延p型SiC,然後生長陽離子摻雜的p型ZnO發光層,最後再澱積n型ZnO。由n型ZnO和p型SiC向發光層注入電子和空穴,在發光層複合發光。該方案既可在矽基片上實現ZnO單晶薄膜的外延,又可發揮陽離

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