氧化物缺陷 金屬在高溫下土成的表面氧化物膜，卜的結構缺陷二主要包括空位、間隙離子、位錯和晶界。氧化物缺陷的種類和含量對金屬的抗高溫氧化和高溫腐蝕性能具有顯著影響
氧化物缺陷 金屬在高溫下土成的表面氧化物膜,卜的結構缺陷二主要包括空位、間隙離子、位錯和晶界。氧化物缺陷的種類和含量對金屬的抗高溫氧化和高溫腐蝕性能具有顯著...
《金屬氧化物中的缺陷化學》是2006年西安交通大學出版社出版的圖書,作者是(美)史密斯。本書討論的主題包括晶格和電子缺陷、摻雜效應、非化學計量性以及質量與電荷的...
焊接缺陷焊瘤 熔化金屬流淌到焊縫以外未熔化的母材上所形成的局部未熔合。原因:焊接參數選擇不當; 坡口清理不乾淨,電弧熱損失在氧化皮上,使母材未熔化。
氧空位是指在金屬氧化物或者其他含氧化合物中,晶格中的氧原子(氧離子)脫離,導致氧缺失,形成的空位。簡單來說,就是指氧離子從它的晶格中逸出而留下的缺陷。氧...
肖特基缺陷是一種化合物半導體中的點缺陷。在化合物MX中,在T>0K時,由於晶格熱振動,能量大的原子離開原格點遷移到晶體表面或晶界,而失去原子的晶格位置即出現空缺...
電荷缺陷(Charge defect)也稱為非化學計量結構缺陷,存在於非化學計量化合物中,由於熱能和其他能量傳遞激發電子躍遷,產生空穴和電子形成附加電場引起周期勢場的畸變,...
理化指標主要是對食品中各種農藥、環境污染物、食品添加劑、營養強化劑的管理指標,也包括反映食品衛生質量變化情況的一些化學性指標,如酸價、過氧化值、酸度等。如...
(2)B類——絲狀和樹枝狀疏鬆,條狀氧化物絲狀疏鬆:一種粗大的疏鬆缺陷,這種缺陷的孔洞是分支的、相互連線的和延伸的,有時這種缺陷是樹枝狀的。
4、 改進熔練工藝,減少含氣量與氧化物 5、 保證澆鑄量,合理補縮大型鑄件最大的問題就是會出現鑄件縮松缺陷,其方法有以下幾種,解決鑄件縮松缺陷的最根本方法就...
拋光液的種類、過拋時間有關,而且與拋光壓力、拋光墊與晶片間的相對速率、拋光粒子在拋光墊上的分布、拋光液中的氧化物濃度、圖案密度和銅線寬以及銅的電鍍過程等...
“出生缺陷”,即通俗所言之“先天性畸形”,是指嬰兒出生前發生的身體結構、...農藥和含一氧化碳、氮氧化物等有害物質的浮塵等直接接觸和間接的環境污染,也...
蕭基缺陷又稱“空孔缺陷”。蕭基缺陷(Schottky defect)是一種化合物半導體中的點缺陷。在化合物MX中,在T>0K時,由於晶格熱振動,能量大的原子離開原格點進入...
B類:平均值經小於0.635毫米,含有氧化物材料並且有不明顯邊界的聚集的粒子。(3)線性缺陷線狀分布的細小缺陷為線性缺陷,它們可能在鑄件內部也可能破壞鑄件表面。前...
23 非金屬夾雜物 在橫向酸性試片上見到一些無金屬光澤,呈灰白色、米黃色和暗灰色等色彩,系鋼中殘留的氧化物、硫化物、矽酸鹽等。 24 金屬夾雜物 在橫向低倍試...
氧化物催化劑即具有催化作用的氧化物。多為金屬氧化物,常為粉末狀或多孔體,通常指金屬氧化物特別是過渡金屬氧化物為主活性組分的多相催化劑。例如,氧化鋁可催化...
非金屬夾雜是指鋼中含有硫化物與氧化物等雜質。鋼材內部缺陷氣孔 編輯 氣孔是指氧化鐵與碳作用生成的一氧化碳氣體,在澆注時不能充分逸出而留在鋼錠中的微小氣孔。
n型氧化物n-l}}pe oxides以電子作為載流子傳導電菏的 一類金屬氧化物,其中的金屬與氧的原子數目比不是嚴格按照 其化學計量式之比,而是金屬原子數目略多。n型...
p型氧化物是金屬氧化物的一種,這類金屬氧化物通常氧原子數目略多,金屬與氧元素原子數目比不是嚴格按照化學式中原子數目之比。...
氧化物半導體材料是由金屬與氧形成的化合物半導體材料。... 氧化物半導體材料(oxide semiconductor)是由金屬與氧形成的化合物半導體材料。它與元素半導體材料相比,結構...
氧化物自由能圖,又稱埃林漢姆圖(英語:Ellingham diagram),是一種在熱力學中用於說明物質穩定性對溫度的依賴性的圖表。這種分析通常被用於評估還原金屬氧化物和硫化物...
氧化物玻璃具有穩定的玻璃態,由多種氧化物構成的多組分玻璃,透過波長範圍取決於透過範圍最狹窄的組合,雖然本徵吸收損耗比較大。但軟化點低使瑞利損耗(折射率變化...