n型氧化物n-l}}pe oxides以電子作為載流子傳導電菏的 一類金屬氧化物,其中的金屬與氧的原子數目比不是嚴格按照 其化學計量式之比,而是金屬原子數目略多。n型氧化物中存 在兩種類型的結構缺陷,一種是間隙金屬離子,另一種是氧離 子空位。這類氧化物包括M四,CaQ,C'eUz , TiDz, 2rf?z ,V 2U5、 BUS .McU3,W03,1VinC3},FezOs ,ZnO,AIzU3}5iC?2等。
n型氧化物n-l}}pe oxides以電子作為載流子傳導電菏的 一類金屬氧化物,其中的金屬與氧的原子數目比不是嚴格按照 其化學計量式之比,而是金屬原子數目略多。n型...
也稱為電子型半導體。N型半導體即自由電子濃度遠大於空穴濃度的雜質半導體。...... 因而該類氧化物通常呈電子導電性,即是N型半導體,真空加熱,能進一步加強缺氧的程度...
ITO 是一種N型氧化物半導體-氧化銦錫,ITO薄膜即銦錫氧化物半導體透明導電膜,通常有兩個性能指標:電阻率和透光率。
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體,而擁有這種結構的電晶體我們稱之為NMOS電晶體。 MOS電晶體有P型MOS管和N型MOS管之分...