《金屬氧化物中的缺陷化學》是2006年西安交通大學出版社出版的圖書，作者是（美）史密斯。本書討論的主題包括晶格和電子缺陷、摻雜效應、非化學計量性以及質量與電荷的輸運，特彆強調了成分元素的一般化學性能與它們的化合物的缺陷化學和輸運性能之間的關係。
基本介紹
內容簡介,作者簡介,目錄,
內容簡介
本書是唯一一本介紹固體無機化合物尤其是金屬氧化物化學平衡的著作。對沒有多少缺陷化學背景的學生而言，本書解釋了如何套用基本原理以及如何解釋材料的相關行為。本書覆蓋了缺陷形成種類、摻雜效應、化學計量的偏離程度和方向、受主和施主濃度以及其他主題。最後一章對二氧化鈦、氧化鈷和氧化鎳以及鈦酸鋇這三個體系做了最新的介紹和詳細的分析。本書是同類出版物中唯一一本為學生設計了習題的教材。它可滿足材料科學與工程、化學和地球化學等學科中不同課程的需要，同時也可以作為研究人員和教師的有益的參考書。
作者簡介
D．M．Smyth，生於1930年，現為美國里海大學(Lehigh University)保羅·B·萊因霍爾德(Paul B．Reinhold)材料科學與工程和化學榮譽退休教授。研究方向為電子陶瓷中的固態化學和缺陷化學。1990年當選美國陶瓷學會會士。1996年因其在電子陶瓷元件中的固態化學方面所做出的傑出貢獻當選美國國家工程院院士。
目錄
Preface
1.Introduction
Reference
2.A Few Useful Cryst0al Structures
Introduction
Close-Packed Structures
Structures for Einght-Coordinate Cations
Structures for Ternary Compounds
Conclusion
References
Pnoblems
3.Lattice Defects and the Law of Mass Action
Introduction
Lattice Defects as Part of the Equilibrium State
The Law of Mass Action
