氧化層

氧化層編輯 鎖定 本詞條缺少信息欄、名片圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!中文名稱 氧化層 英文名稱 oxic horizon 定義 黏粒的陽離子...

為了有效地抑制短溝道效應,並保持良好的亞閾值斜率,柵氧化層厚度要和溝道長度以同樣的比例下降。對於0.1μm尺度的CMOS器件,柵氧化層厚度需達到3nm左右。對於超薄...

當含鋅製品(無保護膜)在空氣中(或燃燒加熱)一段時間後,會與空氣中的氧氣和水發生反應,生成一層鋅氧化層,主要成分為氧化鋅。 2Zn + O₂ → 2ZnO Zn + ...

晶間氧化是沿金屬或合金晶界優先發生的氧化過程。氧化的原因是外來的氧原子沿晶界擴散比在晶粒內部擴散更快,從而沿晶界生成金屬氧化物。金屬材料發生晶間氧化後表層...

陽極氧化鋁是指在鋁及鋁合金表面鍍一層緻密氧化鋁為了防止進一步氧化,其化學性質與氧化鋁相同。但是與一般的氧化膜不同,陽極氧化鋁可以用電解著色加以染色。...

中文名稱 氧化層錯 英文名稱 oxidation induced stacking fault,OISF 定義 晶片表面存在機械損傷、雜質沾污和微缺陷等時,在熱氧化過程中,其近表面層長大或轉化的...

其中氧化皮是比較常見但最容易被忽略的部分。氧化皮是在鋼鐵高溫鍛壓成型時所產生的一層緻密氧化層,通常附著比較牢固,但相比鋼鐵本身則較脆,並且其本身為陰極,會...

矽(Si)與含有氧化物質的氣體,例如水汽和氧氣在高溫下進行化學反應,而在矽片表面產生一層緻密的二氧化矽(SiO2)薄膜。這是矽平面技術中一項重要的工藝。...

陽極氧化鋁板是將鋁板置於相應電解液(如硫酸、鉻酸、草酸等)中作為陽極,在特定條件和外加電流作用下,進行電解。...

陽極氧化電源針是對氧化特點的設計。由於其輸出波形為方波,對於封孔質量比較有利,降低由於溫度升高造成的膜的溶解作用,防止氧化膜孔口的擴大,有利於氧化層硬度和致...

包漿是古玩行業專業術語,指文物表面由於長時間氧化形成的氧化層。“包漿”其實就是“光澤”,專指古物器物經過長年久月之後,在表面上形成這樣一層自然的光澤。不止...

SOI SOI(Silicon-On-Insulator,絕緣襯底上的矽)技術是在頂層矽和背襯底之間引入了一層埋氧化層。矽技術 材料通過在絕緣體上形成半導體薄膜,SOI材料具有了體矽所...

金屬-氧化物半導體場效應電晶體,簡稱金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效...

鈍化是指金屬經強氧化劑或電化學方法氧化處理,使表面變為不活潑態即鈍態的過程,是使金屬表面轉化為不易被氧化的狀態,而延緩金屬的腐蝕速度的方法。另外,一種活性...

層錯常常發生在外延生長的矽單晶體上,當矽單晶片經過900~1200℃熱氧化過程後,經常可發現表面出現層錯。這些由氧化過程引起的層錯,稱之為OISF。因為每個層錯都...

鹽霧對金屬材料表面的腐蝕是由於含有的氯離子穿透金屬表面的氧化層和防護層與內部金屬發生電化學反應引起的。同時,氯離子含有一定的水合能,易被吸附在金屬表面的孔隙...

去除氧化層有幾種常用的工具:1:橡皮(小學生用的那種橡皮擦就可以把這種氧化層去除)。2:鉛筆(鉛筆裡面的碳成分石墨是導電體,擦過金手指後具有更好的導電接觸)。...

氧化還原電位,簡稱ORP (是英文Oxidation-Reduction Potential的縮寫)或Eh。ORP作為介質(包括土壤、天然水、培養基等)環境條件的一個綜合性指標,已沿用很久,它表征...

矽局部氧化隔離(Local Oxidation of Silicon)技術,是由Appels和Kooi於1970年提出的一種CMOS矽工藝中常用的器件隔離技術。...

乾腐蝕是指在沒有水(包括但不限於液體水,水溶液或水蒸氣)接觸的情況下,引起的腐蝕或者氧化現象,即指等離子腐蝕,主要包括電漿腐蝕、離子銑蝕、濺射腐蝕、反應...