氧化層錯

中文名稱氧化層錯
英文名稱oxidation induced stacking fault,OISF
定  義晶片表面存在機械損傷、雜質沾污和微缺陷等時,在熱氧化過程中,其近表面層長大或轉化的層錯。
套用學科材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),元素半導體材料(三級學科)

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