二次缺陷

在器件製造過程中，經高溫處理後出現的或增殖的大量缺陷成為二次缺陷(或工藝導生缺陷)。

分類

失配位錯

高濃度的摻雜引起點陣應力足以使晶體發生晶面滑移而產生位錯，稱之為失配位錯。

滑移位錯

高溫處理過程中，若襯底(矽片)中出現的切應力超過點陣彈性強度時，會引起晶面永久性的滑移，從而產生滑移位錯。

氧化層錯

在器件氧化過程中，由於矽片表面的機械損傷和氧作用所出現的直線缺陷，成為熱氧化桿狀層錯；又分為表面氧化層錯和體內氧化層錯；

表面氧化層錯的特點是分布在表面，長度均勻，對淺結器件影響較大。

體內氧化層錯由沉積團、漩渦缺陷等引起，長度分布不均勻。

解決方法

1. 拋光
   
2. 晶片預退火處理
   
3. 吸附熱處理
   
4. 氣相腐蝕
   

參考資料

半導體可靠性與失效分析，南京工學院，盧其慶，張安康，江蘇科技出版社。