基本介紹
- 中文名:氣體介質擊穿
- 外文名:Gas dielectric breakdown
- 內容:直流電壓擊穿、工頻電壓擊穿等
- 所屬領域:物理
- 所屬類別:物理現象
- 學科:電力工程
直流電壓擊穿,在電極間電場是均勻的情況下,在極不均勻電場的情況下,工頻電壓擊穿,衝擊電壓擊穿,高真空電擊穿,負電性氣體擊穿,
直流電壓擊穿
直流電壓作用下的氣體介質擊穿。可分為以下兩種。
在電極間電場是均勻的情況下
氣壓低於1大氣壓(約0.1兆帕)時,間隙擊穿電壓服從於帕邢定律。對於空氣介質,擊穿電壓Ub可按經驗公式 進行計算。式中d為電極間距離(cm),δ為空氣相對密度。一般情況下,空氣介質擊穿電壓也可近似地用30kv/cm的擊穿場強來估計。對於稍不均勻電場,如兩球電極的間隙,當電極距離d與球直徑D之比d/D<1/4時,可看作均勻電場,超過此限度時就不能這樣考慮了。
在極不均勻電場的情況下
如棒-板電極的間隙,擊穿場強Eb大為降低,並且還會出現極性效應,即正極性棒對負極性板的間隙擊穿電壓小於相反極性的情形,如圖1所示。引起極性效應的原因是由於正離子比電子運動慢很多,在間隙中形成正極性空間電荷,改變了電場分布而引起不同的放電發展過程。在 0.3~3m電極間距離範圍內,棒對板間隙的平均擊穿場強Eb分別約為:正極性棒電極時,E+≈4.5kV/cm;負極性棒電極時,E-≈10kV/cm。
工頻電壓擊穿
工頻交流電壓作用下的氣體介質擊穿。在均勻電場(見不均勻電場)的間隙中,工頻擊穿電壓和直流擊穿電壓相等。在極不均勻電場的間隙中(如棒-板間隙),擊穿總是發生在棒電極處於正極性的狀態,因而交流擊穿電壓幅值與正極性棒對負極性板間隙的直流擊穿電壓相近。棒-板空氣間隙的交流平均擊穿場強為Eа≈4.8kV/cm,與上述E+很接近。為提供高電壓輸電線或變電所空氣間隙距離的設計依據,近年來很多人研究長空氣間隙的工頻擊穿電壓(見長間隙擊穿)。圖2為1~ 10m間隙距離的擊穿電壓曲線。圖中,曲線1、2是棒-棒電極間隙,上棒電極均為5m,下棒電極分別為6m及3m,兩者的擊穿電壓稍有差異。這是因為曲線2的下棒電極短,大地的影響大。曲線3是棒-地間隙的擊穿電壓,它比棒-棒間隙的數值低許多,並且有“飽和”的趨勢。這些試驗是在室內進行的,後來由戶外試驗說明,並未出現“飽和”現象。“飽和”現象是由於試驗室牆的影響引起的。進行長間隙的試驗需要很大的試驗室,投資很多。因此許多人在研究用理論模型計算或試驗模擬來代替實際尺寸的試驗。
衝擊電壓擊穿
衝擊電壓作用下的氣體介質擊穿現象。衝擊電壓可分兩類:一類是雷電衝擊電壓,其標準波形為1.2/50μs,是模擬雷閃放電時造成的雷電過電壓;一類是操作衝擊電壓,標準波形為250/2500μs或波前時間為2000~3000μs的衰減振盪波,為模擬開關操作或系統故障時產生的操作過電壓(見過電壓)。不同電極形狀空氣間隙的雷電衝擊擊穿電壓如圖3 所示。由於衝擊擊穿電壓有隨機分散性,一般取50%機率的數值。衝擊擊穿電壓與試驗電壓極性和電極形狀有關。衝擊電壓擊穿可以發生在波前或波尾部分,視電壓高低而定。電壓越高,擊穿時延越短。擊穿電壓與時延的關係曲線常稱伏秒特性(見絕緣強度)。它對電力系統的絕緣配合有重要意義。同樣,由於作用時間的影響,操作衝擊電壓下間隙擊穿電壓比雷電衝擊電壓下的低。而在一些高功率脈衝裝置產生的幾十納秒脈衝電壓下,間隙擊穿電壓則高得多。
高氣壓電擊穿 由於氣體壓力與氣體密度成正比,因而氣壓將直接影響電子的自由程,從而影響電離和擊穿。帕邢定律表明,在相同的間隙距離下,提高氣體壓力可提高其擊穿電壓。然而高氣壓下氣體介質擊穿的機理與湯森理論有很大差異。高氣壓電擊穿有以下特點:①超過一定氣壓Pc之後(各種氣體的Pc值不同,例如SF6的Pc約在6kg/cm 以上),擊穿電壓有較大的分散性。經過多次放電之後(一般稱“鍛鍊”),擊穿電壓值漸趨穩定。但即使在鍛鍊之後,偶爾也會出現很低的擊穿電壓。②陰極材料對擊穿電壓有影響。陰極材料的結構,例如有無雜質,單晶或多晶,是否有位錯等,也會影響擊穿電壓的大小。③電極表面狀態的影響。電極表面加工及清潔程度對擊穿電壓有作用。如電極經拋光、除油等處理後,擊穿電壓比處理前高。④電極面積增大,擊穿電壓將有所降低。⑤氣體中若含有水氣及懸浮尖埃等雜質,則會降低擊穿電壓。因此所充氣體應經過淨化處理。
高真空電擊穿
由於高真空狀態下氣體密度減少到很小的程度,電子或離子的自由程將很長,以致在間隙中不易發生碰撞電離,因此間隙的擊穿電壓將會很高(帕邢定律的左半支曲線)。某些設備高真空間隙的擊穿場強可高達1.3MV/cm。影響真空間隙擊穿過程有許多因素,如真空度、間隙距離、電極材料、電極狀態、電壓作用時間等。在真空放電中,電極表面過程,特別是陰極表面過程是非常重要的,許多研究工作圍繞著這個問題進行,提出了各種真空擊穿放電模型,如場致發射模型、微粒模型、微放電模型等。對於脈衝電壓擊穿的機制,看法比較一致。對於穩態電壓下的真空擊穿機制,P.A.恰特登認為,在間隙距離d≈10^-3~10^-1cm的區域,可能是場致發射引起擊穿;在d≈10^-1~1cm的區域,可能是微放電的擊穿機制;更大的間隙, 可能是微粒擊穿機制。