中文名稱 | 氣相生長 |
英文名稱 | vapor growth |
定 義 | 通過氣相中的原子(或分子)在結晶界面上不斷沉積實現晶體生長的方法。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),晶體生長(四級學科) |
中文名稱 | 氣相生長 |
英文名稱 | vapor growth |
定 義 | 通過氣相中的原子(或分子)在結晶界面上不斷沉積實現晶體生長的方法。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),材料科學技術基礎(二級學科),材料合成、製備與加工(三級學科),晶體生長(四級學科) |
中文名稱 氣相生長 英文名稱 vapor growth 定義 通過氣相中的原子(或分子)在結晶界面上不斷沉積實現晶體生長的方法。 套用學科 材料科學技術(一級學科),材料...
氣相生長炭纖維(vapor grown carbon fiber)是指低碳烴類或氧化碳等在催化劑作用下,經高溫熱解而生成的纖維狀炭。氣相生長炭纖維就是以低碳烴為原料,用過渡金屬等...
一維納米結構的氣相生長具有一些內在的生長機制,因而易於設計和製備。《自催化氣相生長與一維納米結構》在總結介紹一維納米結構氣相生長機制的基礎上,重點闡述科研過程中...
單晶體原則上可以由固態、液態(熔體或溶液)或氣態生長而得。實際上人工晶體多半由熔體達到一定的過冷或溶液達到一定的過飽和而得。晶體生長是用一定的方法和技術,...
外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單晶層,猶如原來的晶體向外延伸了一段。外延生長技術發展於50年代末60年代初。當時,為了...
所謂晶體生長是物質在特定的物理和化學條件下由氣相、液相或固相形成晶體的過程。人類在數千年前就會曬鹽和製糖。人工模仿天然礦物並首次合成成功的是剛玉寶石(α...
空間晶體生長是指利用微重力物理效應,使用專用設備和技術在空間製備無缺陷的高質量的、具有獨特性能的單晶體,多晶體和半導體材料的過程。...
《金剛石低壓氣相生長的熱力學耦合模型》是科學出版社在1998年01月出版的圖書,作者是王季陶。...
單晶生長法基本原理,多晶體矽料經加熱熔化,待溫度合適後,經過將籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、轉肩、等徑、收尾等步驟,完成一根單晶錠的拉制。爐內的傳熱、...
化學氣相沉積(CVD)是指化學氣體或蒸汽在基質表面反應合成塗層或納米材料的方法,是半導體工業中套用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術,包括大範圍的絕緣材料,大多數...
晶體生長理論是用以闡明晶體生長這一物理-化學過程。形成晶體的母相可以是氣相、液相或固相;母相可以是單一組元的純材料,也可以是包含其他組元的溶液或化合物。...
《非平衡定態相圖--人造金剛石的低壓氣相生長熱力學》是2000年科學出版社出版的圖書,作者是王季陶。...
單晶生長是指原料在高溫高壓下溶解在溶劑中,由於溫差對流,溶液在籽晶部位達到過飽和而使籽晶生長。溶液的循環促使原料不斷地溶解,晶體不斷地生長。目前此法最主要...
氣相外延是一種單晶薄層生長方法。氣相外延廣義上是化學氣相沉積的一種特殊方式,其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續,而且與襯底的晶向保持對應的關係。...
熱化學氣相沉積(TCVD)是指利用高溫激活化學反應進行氣相生長的方法。廣泛套用的TCVD技術如金屬有機化學氣相沉積、氯化物化學氣相沉積、氫化物化學氣相沉積等均屬於熱...
薄膜材料是指厚度介於單原子到幾毫米間的薄金屬或有機物層。電子半導體功能器件和光學鍍膜是薄膜技術的主要套用。薄膜的生長是半導體製造中一項重要的工藝。薄膜生長...
《晶體生長原理與技術》分4篇探討晶體生長的原理與技術。第一篇為晶體生長的基本原理,對晶體生長的熱力學原理、動力學原理、界面過程、生長形態以及晶體生長初期的形...
特性 外延生長工藝epitaxy growth technology利用晶體界面上的二維結構相似性成核的原理,在一塊單晶片上,沿著其原來的結晶軸方一向再生長一層晶格完整、且可以具有不...
教授、博士生導師(退休)、中國真空學會薄膜專業委員會委員、化學氣相澱積(CVD)學組組長...