晶體生長原理與技術

內容簡介

第二篇為晶體生長的技術基礎，分3章進行晶體生長過程的涉及傳輸行為（傳質、傳熱、對流）、化學基礎問題（包括材料的提純與合成問題）以及物理基礎（電、磁、力的作用原理）的綜合分析。第三篇為晶體生長技術.分4章分別對以Bridgman法為主的熔體法晶體生長、以Czochralski方法為主的熔體法晶體生長、溶液法晶體生長以及氣相晶體生長技術與最新發展進行介紹。第四篇分2章分別對晶體生長過程中缺陷的形成與控制和晶體的結構與性能表征方法進行論述。《晶體生長原理與技術》可供從事晶體生長的科研和下程技術人員閱讀，也可作為該領域研究生的教學參考書。

圖書目錄

前言

第一篇晶體生長的基本原理

第1章導論

1.1 晶體的基本概念

1.1.1 晶體的結構特徵

1.1.2 晶體結構與點陣

1.1.3 晶向與晶面

1.1.4 晶體的結構缺陷概述

1.2 晶體材料

1.2.1 常見晶體材料的晶體結構

1.2.2 按照功能分類的晶體材料

1.3 晶體生長技術的發展

1.4 晶體生長技術基礎及其與其他學科的聯繫

參考文獻

第2章晶體生長的熱力學原理

2.1 晶體生長過程的物相及其熱力學描述

2.1.1 氣體的結構及熱力學描述

2.1.2 液體的結構及熱力學描述

2.1.3 固體的結構及其熱力學參數

2.1.4 相界面及其熱力學分析

2.1.5 晶體生長的熱力學條件

2.2 單質晶體生長熱力學原理

2.2.1 單質晶體生長過程中的熱力學平衡

2.2.2 液相及氣相生長的熱力學條件及驅動力

2.2.3 固態再結晶的熱力學條件

2.3 二元系的晶體生長熱力學原理

2.3.1 二元合金中的化學位

2.3.2 液-固界面的平衡與溶質分凝

2.3.3 氣-液及氣-固平衡

2.4 多組元系晶體生長熱力學分析

2.4.1 多元體系的自由能

2.4.2 多元繫結晶過程的熱力學平衡條件

2.4.3 相圖計算技術的套用

2.5 化合物晶體生長熱力學原理

2.5.1 化合物分解與合成過程的熱力學分析

2.5.2 複雜二元及多元化合物體系的簡化處理

2.5.3 化合物晶體非化學計量比的成分偏離與晶體結構缺陷

2.5.4 熔體中的短程式及締合物

參考文獻

第3章晶體生長的動力學原理

3.1 結晶界面的微觀結構

3.1.1 結晶界面結構的經典模型

3.1.2 界面結構的Montc-Carlo(MC)模擬

3.2 結晶界面的原子遷移過程與生長速率

3.3 晶體生長的本徵形態

3.3.1 晶體生長形態的熱力學分析

3.3.2 晶體生長形態的動力學描述

晶體生長原理與技術

基本介紹

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