欠電位沉積

欠電位沉積（Underpotential Deposition，縮寫UPD）是指一種金屬可在比其熱力學可逆電位正的電位下沉積在另一基體上的現象，是一個與電極/溶液結構密切相關的重要的電化學現象

技術原理

迄今為止，已報導了大量UPD實驗現象。目前認為，當沉積原子M與局外基體原子S的作用能ψM-S大於沉積原子之間的作用能ψM-M時，將出現UPD現象。

正是由於單層原子與基底之間很強的相互作用力導致了欠電位區單層沉積層的形成，這一點可以描述為亞單層沉積層的活度小於1；另外，金屬單層均勻的分布在基底上，並不生長在基底的活性位上，而且結構與基底密切相關。他們認為，作為電鍍的初始步驟，單層沉積對膜的進一步生長起著十分重要的作用，不但第一層的沉積和溶出行為受到基底的影響，而且這一影響能發展至多層。

研究進展

研究表明，只有當功函較小的金屬向功函較大的金屬沉積時，才有可能發生欠電位沉積。例如，由於Cu的功函比Au的功函小，所以Cu能夠在Au電極表面形成欠電位沉積單層，而Au在Cu電極上沉積過程中，則不會發生欠電位沉積。人們認為之所以形成欠電位沉積單層，是由於沉積金屬原子與基底金屬原子之間的相互作用大於沉積金屬原子之間的相互作用。