pseudocapacitance

pseudocapacitance主要是一些金屬氧化物和導電聚合物，贗電容是電活性物質進行欠電位沉積。

基本介紹

• 中文名：pseudocapacitance
• 或稱：法拉第準電容
• 簡介：主要一些金屬氧化物和導電聚合物
• 贗電容：電活性物質進行欠電位沉積

贗電容，或稱為法拉第準電容

是在電極表面或體相中的二維或準二維空間上，電活性物質進行欠電位沉積，發生高度可逆的化學吸附，脫附或氧化，還原反應，產生和電極充電電位有關的電容。贗電容不僅在電極表面，而且可在整個電極內部產生，因而可獲得比雙電層電容更高的電容量和能量密度。在相同電極面積的情況下，贗電容可以是雙電層電容量的10～100倍。

目前贗電容電極材料主要為一些金屬氧化物和導電聚合物。目前對金屬氧化物電極電化學電容器所用電極材料的研究，主要是一些過渡金屬氧化物， 如a—MnO2‘nH20、a—V205·nH20、a—RuO2·nH20、IrO2、Ni0 、H3PM ol2040‘nH20、W 03、Pb02、Co304、SrRuO3等，另外還有發展金屬的氮化物y-M~N作電極材料。金屬氧化物基電容器目前研究最為成功的電極材料主要是氧化釕， 由於貴金屬的資源有限，價格過高將限制對它的使用，對於金屬氧化物電容器的研究主要在於降低材料的成本，尋找較廉價的材料。