《橫向界面生長中襯底效應的理論研究》是依託南京大學,由舒大軍擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:橫向界面生長中襯底效應的理論研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:舒大軍
- 依託單位:南京大學
《橫向界面生長中襯底效應的理論研究》是依託南京大學,由舒大軍擔任項目負責人的面上項目。
《橫向界面生長中襯底效應的理論研究》是依託南京大學,由舒大軍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要界面生長是島狀結構在異質襯底上的橫向鋪展過程,通過在橫向生長前沿與異質襯底形成的凹角處不斷形成晶核而進行。近年來若干實驗表明,...
為此,本項目將開展矽基等離子天線建模與高效率關鍵技術研究。以半導體PN結理論為基礎,建立橫向PIN二極體的精確模型。提高效率的關鍵是降低其界面和襯底損耗。擬採用不同材料薄膜鈍化橫向PIN二極體,提高本徵區載流子濃度,降低界面損耗;擬採用增加二氧化矽埋層和削薄襯底的方法,減小襯底漏電流和增加襯底電阻率,降低襯底...
簡言之,襯偏電壓就是為了防止MOSFET的場感應結以及源結和漏結髮生正偏、而加在源-襯底之間的反向電壓。由於加上了襯偏電壓的緣故,就將要引起若干影響器件性能的現象和問題,這就是襯偏效應(襯偏調製效應),又稱為MOSFET的體效應。這種襯偏電壓的作用,實際上就相當於是一個JFET的功能——溝道-襯底的場感應p...
《VLSL互連及襯底寄生效應分析與相關算法研究》是依託清華大學,由王澤毅擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在VLSI電路中,深亞微米及多層金屬布線技術的普遍採用和工作頻率的不斷增高使互連及襯底寄生效應對電路性能產生重要以致決定性的影響,並將在一段時間內持續下去。本課題的研究內容有:全晶片級互連參數提取,...
與國內外同行具有廣泛的合作,參加了多項973項目、基金委重大研究計畫,承擔了多項國家基金以及中科院重大、重點,創新課題。研究方向 ·新型材料的電子結構、磁結構研究 ·自旋、電荷、軌道有序問題 ·新的動力學模擬方法 ·納米顆粒、納米結構、納米陣列體系的理論研究 ·非共線的磁結構的理論 ·表面和界面的結構和...
本項目利用第一性原理結構最佳化和過渡態搜尋方法結合經典晶體生長理論對石墨烯-襯底插層複合物表面和界面輸運性質進行詳細研究。研究結果表明襯底有助於金屬原子插入,且缺陷輔助機制是實驗上最有可能的插入機制,考慮襯底後能壘分別降低了24%、79%、100%,表明襯底效應不可忽略;金屬、非金屬插層對石墨烯晶格和電子性質...
利用(SiC 和金屬)襯底製備高質量大尺度石墨烯是當前石墨烯研究領域的一個主要挑戰。本研究從微觀電子結構理論和晶體生長動力學模型出發,結合實驗測量,探討襯底屬性和結構與襯底-(緩衝層)-石墨烯層間、多晶石墨烯疇間相互作用之間的關係,進一步明確襯底的存在對大尺度石墨烯生長和質量(缺陷)、多晶石墨烯晶界(...
分子動力學初步探討了外延生長在襯底上鐵電薄膜的生成機制以及極化分布變化的規律,給出位錯點附近局部極化增強和減弱的區域;嘗試了通過實驗的方法測量界面位錯生成對鐵電薄膜平均極化的改變規律,初步總結鐵電薄膜相變溫度與界面位錯密度的關係;初步將實驗結果和理論結果進行比較,總結和發現內在的物理關係,相關研究成果也...
催化劑的合理選擇對於實現高質量石墨烯的合成具有非常重要的意義,然而目前實驗上對於催化劑的選擇仍然以經驗為主,缺乏系統的理論指導。本項目運用第一性原理的DFT 計算,結合過渡態理論,系統研究了催化劑襯底對石墨烯CVD 生長的影響,發現了石墨烯在不同催化劑表面存在不同的生長模式,預測了石墨烯生長模式及晶面對稱...
《國外電子與通信教材系列:碳化矽半導體材料與器件》內容包括:SiC材料特性、SiC同質外延和異質外延、SiC歐姆接觸、肖特基勢壘二極體、大功率PiN整流器、SiC微波二極體、SiC晶閘管、SiC靜態感應電晶體、SiC襯底材料生長、SiC深能級缺陷、SiC結型場效應電晶體,以及SiCBJT等。書中涉及SiC材料製備、外延生長、測試表征、器件...
其中包括:(a)在部分掩膜襯底上原位生長量子點(由於掩膜受光刻精度的限制,所以降低了人們對此工藝的興趣)。(b)採用偏向襯底或高指數面襯底,一定晶向的襯底提供的橫向周期性將會影響吸附原子的生長動力學過程從而導致不同的應力弛豫機制;高指數面的表面再構可使量子點的空間分布有序化。這兩種方法的難點是器件...
主要從事凝聚態物理理論的研究工作,並在低維體系,特別是準一維導電高分子聚合物的分子結構及電光特性的研究,首次提出了共聚物(copolymer)各嵌段間的界面耦合的強弱為“能壘”的高低的物理圖景,對各種嵌段共聚物所組成的有機量子阱與超晶格的電子結構及光學性質進行了系統地研究,取得了一些突破,目 前的主要研究方向...
3.5.2橫向熱壁CVD生長模擬 第4章SiC單晶襯底加工技術 4.1SiC單晶多線切割 4.1.1加工設備以及工具 4.1.2各種加工方式的優缺點 4.2SiC單晶襯底的研磨技術 4.2.1粗加工 4.2.2精加工 4.2.3雙面CMP 4.3SiC單晶的新加工法 4.3.1CARE法 4.3.2放電加工法 第5章SiC外延生長技術 5.1SiC外延生長的...
《半金屬磁性氧化物Fe3O4薄膜的磁性改性》是依託東南大學,由翟亞擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本項目將以尋求與開發納米自旋注入電子學器件為目標,研究在半導體襯底上生長磁性氧化物Fe3O4為基的磁性氧化物薄膜的磁性改性. 通過最佳化製備工藝、適量摻雜以及合適的氧化過程等實驗研究,結合理論模擬,以得到電阻...
翟薈主要從事冷原子量子氣體等量子物質的理論研究,機器學習方法在物理學中的運用,全息對偶原理和量子物質方面的研究。人物經歷 1981年2月,翟薈出生於安徽省涇縣。1998年,從安徽涇縣中學考入清華大學基礎科學班。2002年,從清華大學本科畢業,獲得學士學位。2005年,從清華大學高等研究中心畢業,獲得物理學博士學位,師...
CreeResearch公司首家報導了SiC上製作的CWRT藍光雷射器,該雷射器彩霞的是橫向器件結構。富士通繼Nichia,CreeResearch和索尼等公司之後,宣布研製成了InGaN藍光雷射器,該雷射器可在室溫下CW套用,其結構是在SiC襯底上生長的,並且採用了垂直傳導結構(P型和n型接觸分別製作在晶片的頂面和背面),這是首次報導的垂直器件...
由於電子在晶體表面的多重散射增加了LEED結晶學在理論分析上的複雜性。此外,也可用中能電子衍射(MEED)和高能電子衍射 (RHEED)來研究表面結構。表面擴展X 射線吸收精細結構(SEXAFS)是近年來發展起來的研究表面結構的另一手段。當吸附在襯底 S上的原子A吸收X 射線後,從芯態發射的光電子可受到周圍原子的散射,出射...
場效應電晶體(FET)研製納米電晶體,最便當最有效的途徑是在原有矽微米CMOS 電晶體基礎上,採用新技術和新材料進行革新[8]。而利用摻雜矽納米線可以製備性能優良的FET,Cui 等對採用直徑10~20 nm 的矽納米線製成的FET 進行了研究,具體製備過程如下:將矽納米線沉積到600 nm 厚的氧化矽襯底上,矽納米線與襯底...
薛進奎 王海燕等,“醋酸對絨面AZO薄膜表面織構均勻性的影響研究”,真空,48卷,第二期,33-36,2011.穆慧慧,王海燕等,“不同鋁摻雜量ZnO薄膜性能的研究”,真空,第47卷,1期,39-42,2010.馬康,王海燕等,“低溫磁控濺射有機襯底和玻璃襯底ZnO:Al薄膜特性的研究”, 真空, 18-22 2007.馬康,王海燕,...
首次通過金屬納米波導構建了完備的納米全光邏輯器件,實現了兩個二進制數的加法運算;首次演示了等離激元邏輯的可擴展性,通過或門和非門的級聯實現了或非運算;在室溫下實現了對等離激元傳播損耗的補償;系統地研究了金屬納米線的表面等離激元性質,如等離激元的發射方向、偏振特性、分光特性、襯底效應、傳播損耗、...
2004/09 - 2007/06,湘潭大學,材料與光電物理學院, 理論物理,碩士 2000/09 - 2004/06,湘潭大學,物理學院,物理學,學士 工作經歷 2007/09 - 至今,湘潭大學,物理與光電工程學院 主講課程 (1) 《大學物理》,本科生公共基礎課 (2) 《Fortran語言程式設計》,本科生專業基礎課 科研項目 [1] 襯底和應變...
2.4應變自組裝In(Ga)As/GaAs量子點的生長原理 2.4.1SK轉變過程 2.4.2量子點生長過程的實驗研究 2.4.3量子點生長過程的動力學理論 2.4.4量子點尺寸分布的熱力學平衡理論 2.4.5GaAs蓋層對量子點形貌的影響 2.5量子點的可控生長技術 2.5.1迭層量子點的生長 2.5.2在高指數面襯底上生長...
(7)MoS₂/Si異質薄,膜的界面修飾機制和光伏性能研究,自主創新項目,2018-2020。(8)MoS₂/Si異質薄膜的取向生長、摻雜效應及光伏性能研究,自主創新項目,2014-2016.(9)鉑系貴金屬合金催化劑加氫脫硫機理的理論研究,自主創新項目,2011-2013.獲獎情況 1.山東省高校科研成果獎三等獎,省部級,2020。 論...
1-P-14 劉曉偉 NaF-AlF3二元系熔鹽固相晶體與熔體結構的拉曼光譜及其計算模擬研究 1-P-15 劉凡新 矽過渡層厚度對超薄四面體碳膜結構的影響 1-P-16 葉 通 利用聚碳酸酯模板製備的金納米棒的表面增強Raman散射襯底 1-P-17 趙建果 SnO2納米纖維和納米管的結構和磁性研究 1-P-18 何 冰 金銀核殼結構複合納米...
實驗與理論結果一致表明在薄層黑磷和h-BN襯底的界面附近存在由外加電場誘導產生的二維高遷移率電子氣,其最佳遷移率已經達到在電子學領域中可以套用的水平。這標誌著薄層黑磷已經成為又一種能夠用於製備高遷移率電子元件,並擁有廣泛套用前景的二維材料。2015年9月中國科學院深圳先進技術研究院喻學鋒研究員課題組與香港...
首先,把襯底管連線到氣路中,通常,選擇合成石英管作為襯底管,合成石英管的最大優點是有害雜質含量極低,如德國HeraeuS公司生產的合成石英管的OH含量僅為0.2ppm,金屬雜質總含量在5ppb左右。反應物siel4、oeel4、Poel3、SF6和02等在質量流量器的控制下進入到襯底管中,在氫氧焰噴燈的高溫作用下,發生氧化反應,生成...
[60]李強,謝泉,馬瑞,等.厚膜電阻的研究現狀及發展趨勢[J].材料導報, 2014,28(7): 31-37(中文核心)[61]唐華傑,張晉敏,金浩,邵飛,胡維前,謝泉.濺射功率對金屬錳膜光學性質的影響[J].物理學報,2013,62(24):2478031-6(SCI、EI)[62]肖清泉,謝泉,沈向前,張晉敏,陳茜.Si襯底上低真空熱處理製備單一相Mg...
刀片磨料粒徑從數十微米、幾微米到納米級;金剛石、立方氮化硼的含量分為低含量、中等含量和高含量;結合劑既有金屬、非金屬也有混合材料;PCD層厚度從毫米級到微米級;PCD層與硬質合金襯底的結合方式有平面、波紋面;PCD層有高耐磨、高韌性、高耐熱等不同特性。PCD、PCBN刀具的套用範圍擴大到汽車、航天航空、精密...
界面相對微晶矽太陽電池性能影響的研究 RFLPECVD法製備微晶矽籽晶層的研究 單室沉積高效微晶矽基薄膜太陽電池的研究 電漿增強化學氣相沉積微晶矽薄膜的氣相反應模擬 單室沉積pin型全矽三疊層薄膜太陽電池的研究 準單晶矽薄膜的製備與太陽能電池研究 p型微晶矽的研究及其在柔性襯底太陽電池中的套用 射頻激發熱絲化學...
P溝道MOS電晶體是由一電容結構加上兩個電極引出端組成,這兩個引出端一般是在p襯底上的兩個+n的重摻雜區,被稱為MOS電晶體的源電極(Source)與漏電極D(rain)。源、漏之間作為橫向電流(與表面平行)的通道稱為電晶體的溝道,。而溝道中的電流可由柵極(MetalGate)上的電壓來控制。在此將採用一維近似的方法來進行...