極紫外光源

極紫外(EUV)光源主要有兩種：一種是用放電產生的電漿來發射EUV光子（discharge-produced plasma，DPP）；另一種是用雷射激發的等離子來發射EUV光子（laser-produced plasma，DPP）。

基本介紹

• 中文名：極紫外光源
• 外文名：Extreme ultraviolet(EUV) light source

EUV兩種光源的共同點都是先激發產生20~50ev能量的電漿，電漿輻射EUV光子。在DPP技術中，如圖1所示，注入的材料（如Xe或Sn）在電場的作用下生成電漿，磁場對其進一步壓縮，達到高溫度和高密度，產生EUV輻射。在LPP技術中，使用雷射加熱工作材料（如Xe或Sn）激發電漿，輻射EUV光，如圖2所示。

圖2 LPP技術產生EUV光子示意圖

衡量EUV光源的性能主要有兩個重要指標：一是轉換效率（conversionefficiency，CE），即在13.5nm附近2%頻寬內輸出的能量占總輸入能量的百分比；另一個是輸出功率，即在中間會聚點（IF）處測得的功率。電漿發光幾乎是各向同性的，光學收集系統只能收集大約10%~15%的電漿產出的EUV光。