本徵電導率（intrinsic conductivity）是1998年公布的電氣工程名詞。
基本介紹
- 中文名：本徵電導率
- 外文名：intrinsic conductivity
- 所屬學科：電氣工程
- 公布時間：1998年
公布時間,出處,
本徵電導率
相關詞條
- 本徵電導率
本徵電導率（intrinsic conductivity）是1998年公布的電氣工程名詞。公布時間1998年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《電氣工程名詞》第一版。1...
- 本徵半導體
加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子－空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際套用不多。特徵 特點 電子濃度=空穴濃度 註：摻雜的...
- 本徵光電導
本徵光電導 本徵光電導是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 在光照下本徵半導體電導率增加的現象。本徵半導體中價帶電子吸收光子而躍遷至導帶，使導帶電子數和價帶的空穴數均增加，從而增加了半導體的電導率。出處 《材料科學技術名詞》。
- 電子電導
本徵半導體的電子電導率為：式中： 、 分別為電子和空穴的遷移率。n型半導體的電子電導率為：p型半導體的電子電導率為：（2）電子電導率的影響因素 ①溫度的影響 溫度對電子電導率的影響包括對遷移率的影響和載流子濃度的影響，而對後者的影響是主要的。②雜質及缺陷的影響 大多數半導體氧化物陶瓷，或者由於摻雜產生...
- 半導體的光電導
半導體的光電導（photoconductivity of semiconductor）是指光照射半導體使電導增大的現象。本徵半導體的電導能力（電導率）很小，經光照射後半導體內部產生光生載流子（電子或空穴），使其導電能力加大。光照射前後半導體電導的改變與光的波長、強度以及半導體中雜質缺陷態的能級位置密切相關。光電導套用於研究半導體中的雜質...
- 本徵測量標準
1、水三相點瓶作為熱力學溫度的本徵測量標準；2、基於約瑟夫森效應的電位差的本徵測量標準；3、基於量子霍爾效應的電阻的本徵測量標準；4、銅的樣本作為電導率的本徵測量標準。理解 1、本徵測量標準的兩隻是通過協定給定，不需要通過與同類的其他測量標準的關係確定，其測量不確定度的確定應考慮兩個分量：與其協定的...
- 基於IPN的環氧形狀記憶聚合物本徵導電功能化研究
通過乳液聚合和共聚合反應，使環氧形狀記憶聚合物網路和導電聚苯胺大分子鏈形成雙相連續、相互貫穿和強迫互容的有效連線，獲得一種半IPN結構的本徵半導體形狀記憶聚合物。通過調控IPN結構中導電大分子鏈的聚集密度和摻雜程度來提高本徵導電環氧形狀記憶聚合物的電導率。基於形狀記憶網路變形前後的能量狀態等特徵來研究導電和...
- 電導體
離子電導 從理論上說，沒有缺陷的離子晶體是絕緣體，但實際的大多數離子晶體還是有低的電導率。離子晶體中的電導主要為離子電導。離子電導是離子在電場作用下的定向擴散運動，分為兩類。（1）本徵電導，也叫固有離子電導，是晶體點陣的離子由於熱振動而離開了晶格，形成熱缺陷。這種熱缺陷無淪是離子還是空位都是帶電...
- 本徵型結構導電高分子
本徵型結構導電高分子，指分子本身具有導電能力的高分子材料，慣常指具 有線性共扼電子結構的高分子。由於多數這種線性共扼高分 子在純淨狀態下的電導率較低，因此，嚴格來講，只有具有 一S一N一結構的聚硫氮才是本徵型結構甘電高分子。通 常意義的本徵型導電高分子是指那些線性共扼高分子經過摻 雜處理後產生的...
- 光電導
對於本徵半導體，當處於熱平衡狀態時，有確定的載流子濃度，稱為平衡載流子濃度，如果入射光子能量大於半導體禁頻寬度，價帶頂的電子就躍遷到導帶，同時在價帶中形成空穴，產生非平衡附載入流子，這種光電導效應稱為本徵光電導效應。由於非傳導態電子變為傳導態電子，引起載流子濃度增大，因而導致材料電導率增大。半導體無光照...
- 光電導效應
某些半導體材料受到光照射時，其電導率發生變化的現象。光照射到半導體上，價帶上的電子接受能量，使電子脫離共價鍵。當光提供的能量達到禁頻寬度的能量值時，價帶的電子躍遷到導帶，在晶體中就會產生一個自由電子和一個空穴，這兩種載流子都參與導電。由光產生的附加電導稱為光電導，也稱本徵光電導。光能還可將雜質能級...
- 華爾頓定律
熱運動使負離子擴散，趨 向於在介質中均勻分布。膠粒表面結合著一層溶劑化層，位於離開膠粒 電泳電導γ 與液體粘度係數η 乘積與溫度無關——華爾頓定律。本徵離子電導率也服從華爾頓定律。雜質離子電導率不服從華爾頓定律。可見在液體電介質中的本徵離子電導率，雜質離子電導率，電泳電導率的形式相同。
- 衛星充放電效應環境模擬方法
本書全面、系統地介紹了衛星充放電效應試驗技術，主要內容有：充放電效應材料特性參數測試方法，包括二次電子發射係數、光電子、本徵電導率、輻射誘導電導率、介電常數及介電強度；表面充放電效應試驗技術，主要包括表面充放電效應、引起表面充放電效應的空間環境、表面充放電效應模擬試驗設備、電離層電漿充放電效應試驗...
- 有機場效應電晶體(一種利用有機半導體組成信道的場效應電晶體)_百度...
有機場效應電晶體對所用有機半導體材料有著特殊的要求:(1)高遷移率，(2)低本徵電導率。高的遷移率是為了保證器件的開關速度，低的本徵電導率是為了儘可能地降低器件的漏電流，從而提高器件的開關比，增加器件的可靠性。有機半導體材料的設計和合成起著決定性的作用。高分子化合物 高分子薄膜可以使用塗膜、甩膜、...
- 導電性
對於本徵半導體，在絕對零度時，它只有完全被電子填滿的價帶和全空的導帶，二者之間存在著一個帶隙，或稱禁帶(見固體的能帶)。當溫度升高時，有少量電子從價帶激發到導帶，產生能導電的電子和空穴，載流子濃度與溫度有關，其電導率隨溫度的變化可近似表示為σ∝e，A是常數，T是絕對溫度。對於摻雜半導體的電導，以及...
- 矽酸亞鐵鋰
由於本徵電導率和離子擴散速率很低,純Li2FeSiO4材料幾乎沒有電化學活性。碳包覆可提高材料的導電性和電化學性能,包覆的碳源分為兩種:①無機碳源,主要是一些碳的單質,如碳凝膠、乙炔黑或CNT;②有機碳源,依靠有機物在惰性環境下分解形成碳的包覆層,一般又分為小分子有機物(如檸檬酸、蔗糖、葡萄糖和抗壞血酸等)和...
- 固體導電
參與導電的有導帶電子和價帶空穴，它們的密度分別為n和p，遷移率分別為μₑ和μₕ，所以半導體電導率寫成σ=neμₑ+peμₕ。對於不含雜質又沒有缺陷的本徵半導體，n=p，且正比於 exp(－A/T)，A是材料參數。故σ依 exp(－A/T)隨溫度T變化。對於摻有特定雜質的半導體，可得到以電子導電為主的N型...
- 固態電子學基礎
313 漂移遷移率和溫度的關係 電離雜質散射 描述晶格振動散射的聲子 晶格散射 314 遷移率和電場的關係 315 半導體的本徵和非本徵電導率 純淨半導體的本徵電導率 雜質半導體的電導率 320 擴散 321 Einstein關係 322 Boltzmann關係 323 擴散電流的例子 330 Fermi能級的恆定性 331 準Fermi能級和準Fermi...
- intrinsical
intrinsical，英語單詞，主要用作形容詞，作形容詞時譯為“本質的；固有的；內在的”。短語搭配 intrinsical structure 內隱分類結構 Intrinsical Value 內在價值 ; 實際價值 intrinsical safety 本質安全型 intrinsical kinetics 微觀動力學 intrinsical power 本質力量 intrinsical conductivity 本徵電導率 intrinsical ...
- 半導體電阻率
由於施主或受主雜質已經完全電離，則載流子濃度不變，但遷移率將隨著溫度的升高而降低（晶格振動加劇，導致聲子散射增強所致），所以電阻率將隨著溫度的升高而增大。在高溫下 這時本徵激發開始起作用，載流子濃度將指數式地很快增大，雖然這時遷移率仍然隨著溫度的升高而降低（晶格振動散射散射越來越強），但是這種遷移率...
- 固體氧化物燃料電池數值建模與仿真技術
9.2.3材料的本徵電導率148 9.3微觀材料參數對電極性質的影響148 9.3.1組分體積分數的逾滲閾值149 9.3.2氧還原反應的潛在電化學反應位點149 9.3.3水蒸氣生成反應的潛在電化學反應位點151 9.3.4電子/氧離子/質子/導電性質153 9.3.5氣體輸送特性154 參考文獻156 第10章採用混合導電材料的SOFC紐扣電池多物理...
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1.7 半導體的電導率計算公式 1.7.1 本徵半導體的電導率計算公式 1.7.2 P型與N型半導體的電導率計算公式 1.8 電池計算公式 1.8.1 電池串聯計算公式 1.8.2 電池的並聯計算公式 1.9 簡單交流電路常用計算公式 1.9.1 交流電路周期計算公式 1.9.2 交流電路頻率計算公式 1.9.3 交流電路角頻率計算公式 ...
