| 中文名稱 | 本徵矽 |
| 英文名稱 | intrinsic silicon |
| 定 義 | 晶格完整且不含雜質的矽單晶，其中參與導電的電子和空穴數目相等。室溫下本徵矽的電阻率約為2.32105Ω·cm。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
| 中文名稱 | 本徵矽 |
| 英文名稱 | intrinsic silicon |
| 定 義 | 晶格完整且不含雜質的矽單晶，其中參與導電的電子和空穴數目相等。室溫下本徵矽的電阻率約為2.32105Ω·cm。 |
| 套用學科 | 材料科學技術（一級學科），半導體材料（二級學科），元素半導體材料（三級學科） |
本徵矽編輯 鎖定 本詞條缺少信息欄、名片圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!中文名稱 本徵矽 英文名稱 intrinsic silicon 定義 晶格完整...
矽及鍺矽外延工藝在現代積體電路製造中套用十分廣泛,概括起來主要包括: 1.矽襯體外延:矽片製造中為了提高矽片的品質通常在矽片上外延一層純淨度更高的本徵矽,或者...
本書內容豐富全面,共分為12章.第1章是對深亞微米時代數字積體電路的透 視,...3.4.1 本徵矽 483.4.2 n型矽 483.4.3 p型矽 493.5 電流傳輸 49...
Chem. C, 116, 13767, 2012);在微納結構矽材料表/界面特性及高靈敏分子感測機制研究方面,發現了H鈍化本徵矽納米線表面空穴積累及p型表面電導現象,發現了本徵...
1.4 本徵矽的電阻率1.5 半導體摻雜1.5.1矽晶體中的施主雜質1.5.2 矽晶體中的受主原子1.6 摻雜半導體中電子與空穴的濃度1.6.1N型材料(ND>NA)...
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本書有三個鮮明特點:第一,內容十分豐富,該書由四部分23章組成,概述了紅外探測...第10章 本徵矽和鍺探測器第11章 非本徵矽和鍺探測器第12章 光電發射探測器...
13 3 5溫度對本徵半導體的影響643 13 4非本徵半導體645 13 4 1n型(負型)非本徵半導體645 13 4 2p型(正型)非本徵半導體647 13 4 3非本徵矽半導體材料...
基於目前的發展和對未來的預測, 如果將主要納米電子器件進一步分類, 納米CMOS 器件主要有: 絕緣層上矽MOSFET、矽一鍺異質MOSFET、低溫MOSFET、雙極MOSFE T、本徵矽...
在發射極金屬電極的表面上覆蓋一薄層摻雜多晶矽,可使得本徵矽發射區表面的少數載流子壽命提高,從而能夠明顯地減弱因為高摻雜所帶來發射結注射效率降低的影響,提高電流...
3.2矽的晶體結構 3.3能帶 3.4載流子濃度 3.4.1本徵矽 3.4.2 n型矽 3.4.3 p型矽 3,5電流傳輸 3.6載流子連續性方程 3.7泊松方程 3.8...
2.4本徵矽的電阻率 2.5半導體中的雜質 2.6摻雜半導體中的電子和空穴濃度 2.7摻雜半導體的遷移率和電阻率 2.8擴散電流 2.9總電流 2.10能帶模型 2.11...
1.本徵半導體 作為半導體器件的材料,必須首先經過高純度的提煉,這種不含雜質的半導體,稱為本徵半導體。純淨的單晶矽稱為本徵矽。為了了解半導體的導電性能,需要從...