電工學原理與套用

《電子學原理與套用》是通高等教育“十一五”國家級規劃教材。

《電子學原理與套用》是普通高等教育“十一五”國家級規劃教材，吸收了國內外同類優秀教材的主體思想、內容、方法和手段，並將作者多年的教學、科研經驗有機融合到教材中。《電子學原理與套用》內容包括：固態電子學、二極體與二極體電路、場效應管、雙極型三極體、小信號放大器、功率放大器、運算放大器、振盪器、電子控制器件和電路、直流穩壓電源。

基本介紹

• 書名：電工學原理與套用
• 作者：麻壽光
• ISBN：9787040311419
• 出版社：高等教育出版社
• 出版時間：2011-01-01
• 開本：16

內容簡介

紮實的理論功底與將基本原理轉化到工程套用中的技能是創新的要素。《電子學原理與套用》以基本的物理概念和基本的數學分析過程為基礎，引出由器件基本特性構成的電路模型，這個過程儘可能論據充足，使讀者充分理解不同的工作條件下，如何合理建立相應的電路模型。為適應現代微電子技術發展的趨勢，將M0sFET作為重點內容介紹。從MOS電容的特性入手，建立MOSFET的導電模型，並對高密度MOS積體電路中的一些問題及解決辦法做較詳細介紹。電子技術的套用領域不斷拓展，新的技術與器件層出不窮，本教材內容的選擇儘可能反映當前電子新技術在工業領域的新套用。在基本內容的選取上，充分體現了當前電子工程套用中模擬與數字、線性與非線性等相互結合的特點。《電子學原理與套用》使用相當多的篇幅，通過工程實例討論了電磁兼容問題的解決方案，將為工程技術人員設計一個可靠的電子產品提供有用韻思路。

《電子學原理與套用》適於作為高等學校電氣信息、電子信息類各專業模擬電子技術課程的教材，也可作為工程技術人員的參考書。

目錄

第1章 固態電子學

1.1固態電子學材料

1.2 共價鍵模型

1.3 半導體中的漂移電流與遷移率

1.3.1漂移電流

1.3.2 遷移率

1.3.3 飽和速度

1.4 本徵矽的電阻率

1.5 半導體摻雜

1.5.1矽晶體中的施主雜質

1.5.2 矽晶體中的受主原子

1.6 摻雜半導體中電子與空穴的濃度

1.6.1N型材料(ND>NA)

1.6.2 型材料(NA>NE)

1.7 摻雜半導體的遷移率與電阻率

1.8 擴散電流

1.9 總電流

1.10能帶模型

1.10.1本徵半導體內的電子空穴對

1.10.2 摻雜半導體的能帶模型

1.10.3 補償半導體

小結

習題

第2章 二極體與二極體電路

2.1PN結二極體

2.1.1PN結的靜態電荷

2.1.2 -=.極管內的電流

2.2 二極體的伏安特性

2.3 二極體的數學模型

2.4 反向偏置、零偏置、正向偏置下的二極體特性

2.4.1反向偏置

2.4.2 零偏置

2.4.3 正向偏置

2.5 二極體的溫度係數

2.6 反向偏置二極體

2.6.1實際二極體的飽和電流

2.6.2 反向擊穿電壓

2.6.3 擊穿區的二極體模型

2.7 PN結電容

2.7.1反向偏置電容

2.7.2 正向偏置電容

2.8 肖特基勢壘二極體

2.9 二極體模型與版圖

2.10二極體電路

2.10.1負載線分析

2.10.2 用數學模型分析

2.10.3 用理想二極體模型分析

2.10.4 恆壓降二極體模型分析

2.10.5 模型比較與討論

2.11多二極體電路

2.11.1含兩個二極體電路分析

2.11.2 含三個二極體電路分析

2.12工作在擊穿區的二極體

2.12.1負載線分析

2.12.2 分段線性化模型分析

2.12.3 穩壓器

2.12.4 考慮穩壓二極體齊納電阻電路分析

2.12.5 電源與負載的穩定性

2.13波整流電路

2.13.1電阻負載的半波整流電.路

2.13.2 濾波電容

2.13.3 有RC負載的半波整流電路

2.13.4 紋波電壓與導通間隔

2.13.5 二極體電流

2.13.6 浪涌電流

2.13.7 額定反向峰值電壓

2.13.8 二極體功耗

2.13.9 輸出負電壓的半波整流電路

2.14全波整流電路

2.14.1輸出正電壓

2.14.2 輸出負電壓

2.15橋式全波整流

2.16整流電路比較與設計權衡

2.17直流一直流(DC-DC)變換器

2.17.1升壓(b00st)變換器

2.17.2 降壓(buck)變換器

2.18二極體的動態開關特性

2.19光二極體、太陽能電池與發光二極體

2.19.1光二極體與光探測器

2.19.2 太陽能電池發電

2.19.3 發光二極體(LED)

小結

習題

第3章 場效應管

3.1MOS電容的特性

3.1.1電荷聚集區

3.1.2 電荷耗盡區

3.1.3 電荷反型區

3.2 NMOS管

3.2.1NMOS管伏安特性的定性討論

3.2.2 NMOS管導通區

3.2.3 導通區電阻

3.2.4 MOSFET壓控電阻的套用：壓控衰減器；壓控高通濾波器

3.2.5 MoSFET伏安特性的飽和區

3.2.6 飽和(夾斷)區的數學模型

3.2.7 跨導

3.2.8 溝道長度調製效應

3.2 ，9轉移特性與耗盡方式MoSFET

3.2.10體效應或襯底靈敏度

3.3 PMOS管

3.4 MOSFET的電路符號

3.5 MOS管制造與布線設計規則

3.5.1最小化特徵尺寸與對準容差

3.5.2 MOS管布線

3.6 MOS管內的電容

3.6.1工作在導通區的NMOS管電容

3.6.2 工作在飽和狀態的MOS管電容

3.6.3 工作在截止狀態的MOS管電容

3.7 SPICE所用的MOSFET模型

3.8 NMOS場效應管偏置電路分析

3.9 PMOS場效應管偏置電路分析

3.10電流源和MOS電流鏡

3.10.1NMOS電流鏡的直流分析

3.10.2 MOS電流鏡比率的改變

3.10.3 電流鏡的輸出電阻

3.10.4 電流鏡的版圖布局

3.10.5 多電流鏡

3.11.MOS管的尺寸

3.11.1漏極電流

3.11.2 柵極電容和延遲時間

3.11.3 電路和功率密度

……

第4章 雙極型三極體

第5章 小信號放大器

第6章 功率放大器

第7章 運算放大器

第8章 振盪器

第9章 電子控制和電路

第10章 直流穩壓電源