晶體生長爐

晶體生長爐是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2011年6月7日啟用。

基本介紹

• 中文名：晶體生長爐
• 產地：中國
• 學科領域：電子與通信技術
• 啟用日期：2011年6月7日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備

技術指標

最高溫度3000度，最大功率12000瓦，最大可生長單晶長度190mm，直徑2-25mm，生長速率0.02-20mm/hr，旋轉速率5-60rpm。

主要功能

適合製備氧化物，光子晶體金屬，合金，化合物與各種單晶樣品，可調節生長過程中的氣氛。