提拉法晶體生長爐是一種用於數學領域的分析儀器,於2018年12月11日啟用。
基本介紹
- 中文名:提拉法晶體生長爐
- 產地:中國
- 學科領域:數學
- 啟用日期:2018年12月11日
- 所屬類別:分析儀器 > 電子光學儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
提拉有效行程:560mm,提拉速度範圍:0.05mm/h-6000mm/h,旋轉速度:0-50r/min。
主要功能
用於大尺寸高純鍺晶體生長,生長出的超高純鍺晶體可製造探測器,用於進行暗物質探測。
提拉法晶體生長爐是一種用於數學領域的分析儀器,於2018年12月11日啟用。
提拉法晶體生長爐是一種用於數學領域的分析儀器,於2018年12月11日啟用。技術指標提拉有效行程:560mm,提拉速度範圍:0.05mm/h-6000mm/h,旋轉速度:0-50r/min。1主要功能用於大尺寸高純鍺晶體...
提拉法全自動晶體生長爐 提拉法全自動晶體生長爐是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2018年7月5日啟用。技術指標 爐膛尺寸800x1100mm,中頻功率60kW,提拉量程550mm,稱重精度10mg,真空度10Pa。主要功能 大尺寸晶體材料生長。
一、提拉法的基本原理:提拉法是將構成晶體的原料放在坩堝中加熱熔化,在熔體表面接籽晶提拉熔體,在受控條件下,使籽晶和熔體在交界面上不斷進行原子或分子的重新排列,隨降溫逐漸凝固而生長出單晶體。下圖1是提拉法示意圖。提拉法的生長工藝首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱熔化,調整爐內溫度場,...
了解了液相燒結中顆粒壓模形狀的改變的原因,在此基礎上地面工藝免除了研磨的步驟,具有相當的經濟效益; 對Ostwald Ripening 機理的深入研究擯除了1960年代的舊理論;測定了許多種金屬、半導體等材料在高溫下的擴散係數;對提拉法和浮區法晶體生長過程的深刻理解導致了對這兩種方法生長的晶體質量的改進;獲得了對流對...