垂直晶體生長爐

垂直晶體生長爐是一種用於材料科學領域的科學儀器，於2014年12月29日啟用。

基本介紹

• 中文名：垂直晶體生長爐
• 產地：中國
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2014年12月29日

技術指標

爐體升降行程：800mm； 爐體升降速度：0.01~99.99mm/h (可調)； 位移顯示精度：±0.001mm； 旋轉軸載重：5kg； 可連續工作時間：45天； 振動：旋轉軸運行平穩無振動； 爬行：爬行量很小≤0.001mm； 旋轉精度：軸向串動0.002 mm，徑向跳動0.01 mm； 最高使用溫度：1200℃ 控制方式：自動控制。控溫系統與變壓器使用單獨控制櫃； 高溫度長度：350mm；低溫度長度：300mm；梯度區長度：100mm； 爐絲選用抗氧化強的材料，不掉屑，可長期使用。

主要功能

晶體生長爐的特點是：長晶過程中爐體移動，與傳統的長晶方法有著本質的區別。主要是坩堝可以靜止不動，而爐體移動，實質上是溫場的移動。此移動對長晶過程中位移速度的要求可以降低。晶體生長爐具有調整便捷，操作控制簡單，使用安全可靠，並且便於保養與維護，是材料晶體生長的理想使用設備。