基本介紹
- 中文名:晶圓邊緣曝光
- 外文名:wafer edge exposure(WEE)
晶圓邊緣多餘的光刻膠還可以通過光學的辦法來清除,稱為晶圓邊緣曝光(wafer edge exposure,WEE)。...
軟烘後,利用化學或光學的方法去除晶圓邊緣處的光刻膠,稱為光刻膠邊緣修復,也叫光刻膠去邊。...
滑移線缺陷是也是一種常見的缺陷,它是由晶體生長時的加熱不均造成的,他通常在晶圓的外圍邊緣處,形成一條條水平的細小直線。由於滑移線的尺寸相對比較大,可以通過...
所有實際電子束曝光、顯影后圖形的邊緣要往外擴展,這就是所謂的“電子束鄰近效應。同時,半導體基片上如果有絕緣的介質膜,電子通過它時也會產生一定量的電荷積累,...
勻膠顯影機是完成除曝光以外的所有光刻工藝的設備,包括光刻材料的塗布、烘烤、顯影、晶圓背面的清洗以及用於浸沒式工藝的晶圓表面的去離子水沖洗等。...
在整個光刻工藝中,除了曝光,其餘所有的步驟都是在勻膠顯影機中完成的。勻膠顯影機的主要工藝單元分別有晶圓表面增粘處理,光刻膠旋塗單元,邊緣曝光,顯影單元等,...
研究表明,完成一盒晶圓(25片)曝光後,掩模溫度會升高4℃。晶圓曝光後,掩模表面的溫度分布是不均勻的,一般中心區域接受到的光照最強,膨脹最多;邊緣區域沒有光照,...