摻雜濃度是激活離子摻雜在基質中的數量。是描述雷射介質的一個重要指標。單位經常是原子百分數。
基本介紹
- 中文名：摻雜濃度
- 定義：激活離子摻雜在基質中的數量
- 單位：經常是原子百分數
摻雜濃度是激活離子摻雜在基質中的數量。是描述雷射介質的一個重要指標。單位經常是原子百分數。
摻雜濃度是激活離子摻雜在基質中的數量。是描述雷射介質的一個重要指標。單位經常是原子百分數。...
在摻雜濃度較高時，將會出現偏離線性的藕合特徵。砷化鎵的n型化學氣相摻雜通常是在主氣流中摻入矽烷的蒸氣。砷化鎵的高濃度n型摻雜則採用S、Se或Te的氫化物作摻雜劑。套用 在化學氣相沉積二氧化矽膜時，若同時通入適量的PH₃，或B₂H₅作摻雜劑，可分別獲得磷矽玻璃和硼矽玻璃，它們在器件中可作保護膜、層...
元素摻雜，根據需要在本徵半導體中摻入特定元素來改變半導體的特性。解釋 一類雜質是施主或受主，它們能增加電導率，形成PN結。控制摻雜的類型和濃度就能控制半導體中載流子的類型和濃度。施主和受主的摻雜濃度可在一個很大的範圍內變化，使得半導體的電導率可從10−10/歐姆·厘米變化至102/歐姆·厘米。另一類雜質是...
該光纖的空氣孔的周期和直徑分別為2μm和1μm;餌粒子被限制在直徑約為lμm的中心區域,摻雜濃度1000ppm;纖芯共摻鋁,數值孔徑為0.14。摻餌多孔光纖的纖芯直徑過小,若直接與普通單模光纖熔接,必然導致較大的接續損耗值,因而,需要高數值孔徑光纖作為橋接光纖來連線摻餌多孔光纖和普通單模光纖,這樣,總的熔接損耗...
《高Z梯度摻雜靶丸原子濃度三維分布測量原理及方法研究》是依託中國工程物理研究院雷射聚變研究中心，由王宗偉擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 在慣性約束聚變研究中，高Z元素梯度摻雜微型靶丸作為聚變燃料的存儲單元，其摻雜層在聚爆時將燃料同超熱電子隔離，降低通過燒蝕層的X射線通量及X射線對DT燃料冰層...
就是在柵極氧化膜形成之後，在溝道區域通過離子注入技術把少量的施主或受主雜質離子（濃度為1011~1012/cm2）注入進去，以用來調整器件閾值電壓的大小，這就稱為溝道摻雜；對於n-MOSFET，為了增大閾值電壓，需要摻入p型雜質，為了得到耗盡型MOSFET就需要摻入n型雜質。Channel doping，溝道摻雜 ...
其中摻雜光纖放大器(RDFA)是在光纖的纖芯中摻入能產生光子的稀土元素,通過稀土元素的作用,將雷射二極體LD泵浦發出的光能量轉化到信號光上,可實現對信號光的直接放大,具有實時、寬頻、線上、低損耗的全光放大功能。由於RDFA具有摻雜濃度高,互作用區大,能量轉換率高,製作較容易等顯著的優點,近20多年來得到了迅猛發展...
雖然近期國際上紛紛提出了各種類型非化學氣相沉積法製備摻雜光纖，並取得較為理想結果，但還是很不成熟。針對這些問題，本項目提出一種全新水解-熔融電漿非化學氣相沉積法製備鐿離子摻雜MSF。最終實現折射率的精確控制（誤差小於0.0001）、鐿離子均勻分布、大纖芯直徑（纖芯可大於數mm）、高摻雜濃度（高於10000ppm）...
《Bi2WO6鹵離子摻雜半導體的光催化性能研究》是依託陝西師範大學，由魏秀梅擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 用水熱合成法製備出Bi2WO6鹵離子摻雜半導體,測定在不同的鹵素離子類型、鹵離子摻雜濃度、粉體形貌和尺寸下材料的催化性能。套用第一性原理建立Bi2WO6鹵離子摻雜體系周期性晶體模型，計算不同類型...
為了改善SnS薄膜的光電特性，本項目採用真空蒸發法製備了摻雜的SnS薄膜，摻雜源分別為鋁、銅、銀和銦。通過改變不同摻雜源的摻雜濃度（0 at.%～15at.%），研究摻雜源和摻雜濃度對SnS薄膜的物相、結構、形貌和光電性能的影響，製備出了光電性能良好的摻雜的SnS薄膜。研製了SnS薄膜太陽電池的視窗層材料，如ITO薄膜、...
本課題採用工藝實驗和測試表征相結合的研究方法，結合電學測試和物理表征手段對4H-SiC中摻雜濃度，摻雜類型對於在乾/濕氧化條件下氧化速率的影響進行了系統研究，通過基於實驗數據的參數擬合提出了氧化的工藝模型；並在此基礎上，揭示了4H-SiC上通過熱氧化得到的氧化層的可靠性被摻雜所影響的規律，闡明了高濃度摻雜對4H...
本項目提出了p型摻雜濃度沿材料厚度方向成指數變化的GaN光電陰極結構，相比之前均勻摻雜，此結構可以使GaN能帶產生線性彎曲，並形成內建電場，使得光生電子可以同時在擴散和漂移兩種機製作用下向材料表面輸運，有效地提高了電子擴散長度；為了達到在納米厚度的量級上對摻雜濃度進行精確控制，採用了原子層沉積技術進行p型...
本項目擬研究TiO2半導體衝擊波摻雜中的科學問題。採用炸藥爆轟驅動高速飛片對樣品進行衝擊波載入。將含N、S的摻雜物與TiO2混合，在衝擊波作用下進行擴散摻雜。此外，對含Ti的前體及含N、S的摻雜物進行衝擊波載入，進行原位反應摻雜。回收衝擊處理後的產物，通過元素分析、XRD、TEM、XPS和EPR等對產物的摻雜濃度和結構...
對本徵石墨烯薄膜生長機制的深入理解為下一步可控摻雜研究奠定了基礎。 其次，按計畫重點圍繞氮摻雜石墨烯薄膜的可控制備及其電學性能開展研究，通過碳源、固源、氣體流量、生長溫度等參數研究，在一定程度上實現了氮摻雜濃度和摻雜結構的可控。在此基礎上進一步研究發現在給電子能力方面pyridinic-N < pyrrolic-N < ...
隨著研究的深入, 人們發現如果在Er3 +光纖中同時摻入Yb3 + , 由於Yb3 +具有很寬的吸收帶(800 ～ 1064nm)和相當寬的激髮帶, 而且Yb3 +的吸收截面比E r3 +大得多, 不會出現濃度淬滅, 可以達到較高的Yb3 +濃度, 不會出現邊緣效應, 容易吸收980nm 附近的泵浦能量, 從而提高E r3 +的摻雜濃度, 縮短光纖...
簡併半導體（degenerate semiconductor）是雜質半導體的一種，它具有較高的摻雜濃度，因而它表現得更接近金屬。對一般的摻雜情況(雜質濃度小於10的18次方 )常溫下，通常的半導體都屬非簡併半導體。但在某些情況下，費米能級可以接近導帶底(或價帶頂)，甚至會進入導帶(或價帶)中。例如，在含施主雜質的n型半導體中，...
大注入效應，就是注入到半導體中的非平衡少數載流子濃度接近或者超過原來的平衡多數載流子濃度（～摻雜濃度）時的一種情況。這是相對於小注入而言的，所謂小注入就是注入的非平衡少數載流子濃度遠小於原來的平衡多數載流子濃度（～摻雜濃度）的狀態。基本概念 在小注入情況下，少數載流子的數量微乎其微，但是由於它們能夠...
電阻率的大小決定於半導體載流子濃度n和載流子遷移率μ：ρ=1/ nqμ。對於摻雜濃度不均勻的擴散區的情況，往往採用平均電導率的概念；在不同的擴散濃度分布（例如高斯分布或余誤差分布等）情況下，已經作出了平均電導率與擴散雜質表面濃度之間的關係曲線，可供查用。溫度 決定電阻率溫度關係的主要因素是載流子濃度和...
摻雜是形成功能半導體的必要環節，摻雜濃度對電阻率和載流子輸運參數有著重要影響。本徵半導體，即不摻雜半導體，常溫時電阻率非常高，隨著摻雜濃度增加，電阻率降低，載流子壽命和擴散長度逐漸降低。重點製造過程 拋光過程 隨著積體電路(Integrated circuit,IC)製造技術的不斷發展，晶片特徵尺寸越來越小，互連層數越來越多，...
本標準規定的方法是 4H 碳化矽襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現反映外延層厚度信息的連續干涉條紋。當外延層表面反射的光束和襯底界面反射的光束的光程差是半波長的整數倍時，反射光譜中可以觀察到極大極小值。根據反射譜中干涉條紋的極值峰位，試樣的光學常數以及入射...
雜質能帶是指摻雜濃度很高、以致相鄰雜質原子的基態電子軌道發生交疊時，雜質能級展寬後的能帶（禁帶里產生一些定域的分立的能級）。雜質能帶的寬度正比於相鄰束縛電子波函式交疊的程度。簡介 眾所周知，由許多原子靠近、電子軌道相互重疊並成鍵後即組成晶體，則其中的電子狀態即由原子中的能級狀態轉變為能帶狀態——即...
因為發射結兩邊的摻雜濃度都較高，一般都可以近似為單邊突變結，則在雪崩擊穿機理起決定作用的情況下，擊穿電壓主要由低摻雜一邊——基區的摻雜濃度來決定。對於雙擴散平面電晶體，因為基區的摻雜濃度不均勻（表面高、裡面低），則應該選取基區擴散的表面雜質濃度來確定擊穿電壓。降低基區摻雜濃度，則有利於提高BVebo。
進一步地，在所述多周期結構中，至少一個周期的GaN層不摻雜Si。進一步地，在所述連續周期中，各InGaN層的In組分的含量從下至上遞增。優選地，在所述連續周期中，每個周期的GaN層的Si的厚度為1～5納米。優選地，在所述連續周期中，每個周期的GaN層的Si的摻雜濃度為0～1×10/立方厘米。另一方面，《一種GaN基...
n型半導體中存在著帶負電的導帶電子(濃度為n0)、帶正電的價帶空穴(濃度為p0)和離化的施主雜質(濃度為nD+)，因此電中性條件為 一般求解此式是有困難的。實驗表明，當滿足Si中摻雜濃度不太高並且所處的溫度高於100K左右的條件時，那么雜質一般是全部離化的，這樣電中性條件可以寫成 一般Si平面三極體中摻雜濃度不低於...
dopant activation 摻雜劑活化 ; 摻雜活化 ; 雜物活化 implanted
電子和空穴的有效質量的大小是由半導體材料的性質所決定的。所以不同的半導體材料，電子和空穴的有效質量也不同。平均自由運動時間的長短是由載流子的散射的強弱來決定的。散射越弱，τ越長，遷移率也就越高。摻雜濃度和溫度對遷移率的影響，本質上是對載流子散射強弱的影響。散射主要有以下兩方面的原因：1.晶格散射 ...
原則上各種元素均可成為摻雜元素，並可以達到常規方法所無法達到的摻雜濃度。對於那些常規方法不能摻雜的元素,離子注入技術也並不難實現③注入離子的濃度和深度分布精確可控。注入的離子數決定於積累的束流，深度分布則由加速電壓控制，這兩個參量可以由外界系統精確測量、嚴格控制。④注入離子時襯底溫度可自由選擇。根據...
圖2中NMOS的源極與漏極上標示的“N+”代表著兩個意義：（1）N代表摻雜（doped）在源極與漏極區域的雜質極性為N；（2）“+”代表這個區域為高摻雜濃度區域（heavily doped region），也就是此區的電子濃度遠高於其他區域。在源極與漏極之間被一個極性相反的區域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區域。如果...