基本介紹
- 中文名：掩模基板
- 外文名：mask blank
掩模基板 半導體庵模版工藝中，準備用乾製造掩模版的未加塗層的基板材料。
基板技術指標主要有如下幾個方面：基板的平整度，表面沉積材料的性能及厚度，基板的潔淨度。隨著技術節點的縮小，這些指標變得越來越嚴格，掩模板廠在使用前必須嚴格檢測。
掩模基板的平整度測量
平整度測量本身是一個挑戰，必須用到干涉儀。即把待測的掩模基板與一個參考平面平行放置；雷射束在兩個平面之間反射，發生干涉現象；掩模基板表面的不平整度就表現在基板與參考平面之間的距離不同，因而，干涉條紋就會發生移動。通過觀察干涉條紋的移動，可以精確測量基板表面的不平整度。這種測量的精度可以達到1nm左右。
吸收層材料厚度減薄
在20nm技術節點下，掩模上圖形的三維效應不應忽略，三維效應導致曝光最佳聚焦值在不同圖形之間的偏差，使得光刻工藝視窗縮小。減少掩模上吸收層的厚度，可以有效地降低掩模的三維效應。薄掩模基板製備的挑戰在於：減薄了的吸收層還必須保持所需要的吸收率和相移。
掩模基板上的缺陷
基板上大多數缺陷是外來顆粒。在缺陷檢測設備這紅，基板上的缺陷一般可以分為四類：透明的、圓形的、米粒狀的、斷裂或針孔形的。掩模基板爽的這些缺陷，可以通過合適的清洗工藝清除一部分。
在基板上製備圖形時，可以儘量減少缺陷對掩模性能的影響。具體的做法是：對基板做缺陷檢測，記錄下缺陷所在位置的坐標。在做圖形曝光時，調整圖形在基板上的位置，儘量使不透光的圖形覆蓋在基板的缺陷上。
